[发明专利]基于read retry的拉偏电压选择实现方法和装置

说明书

本申请涉及一种基于read retry的拉偏电压选择实现方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：Nand flash读取数据并判断是否发生UECC；若数据发生UECC则查找发生UECC的page对应的记录；若存在上一次纠错成功的电压拉偏等级记录，则用所述纠错成功的电压拉偏等级进行一次纠错；Nandflash读取数据并判断数据纠错是否成功；若数据没有纠正回来，则需要根据当前UECC的page所在block的状态选择对应的电压拉偏等级表并逐级进行尝试。本发明提出的拉偏电压选择方案可以精确的进行read retry，避免过多的无效电压拉偏和数据读取动作，减少了SSD命令响应延时，提高了用户体验。

技术领域

本发明涉及固态硬盘技术领域，特别是涉及一种基于read retry的拉偏电压选择实现方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

SSD(Solid State Drive，固态硬盘)作为一种新型存储介质，其采用NAND颗粒作为数据存储，已经广泛应用于PC，笔记本，服务器等各个领域并逐渐取代HDD(Hard DiskDrive，机械硬盘)成为存贮领域的主流应用产品。

目前，随着Nand flash的发展，一方面用户对Nand flash数据可靠性要求越来越高。另一方面，原厂提供的数据发生UECC(Unable Error Correcting Code)后read retry参考的电压档位越来越丰富。在SSD使用过程中，因为PE的增加导致数据UECC的概率越来越高，在现有技术中，如果每次数据发生UECC，都从第一个等级拉偏电压开始read retry，将导致读操作完成的延时变长，进而可能出现卡顿等不良体验。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种基于read retry的拉偏电压选择实现方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种基于read retry的拉偏电压选择实现方法，所述方法包括：

Nand flash读取数据并判断是否发生UECC；

若数据发生UECC则查找发生UECC的page对应的记录；

若存在上一次纠错成功的电压拉偏等级记录，则用所述纠错成功的电压拉偏等级进行一次纠错；

Nand flash读取数据并判断数据纠错是否成功；

若数据没有纠正回来，则需要根据当前UECC的page所在block的状态选择对应的电压拉偏等级表并逐级进行尝试。

在其中一个实施例中，所述根据当前UECC的page所在block的状态选择对应的电压拉偏等级表并逐级进行尝试的步骤还包括：

获取当前UECC的page所在block的PE值并选择对应的电压拉偏等级表；

配置拉偏电压，Nand flash读取数据并判断数据纠错是否成功；

若数据没有纠正回来，则选择下一档拉偏电压。

在其中一个实施例中，在所述配置拉偏电压，Nand flash读取数据并判断数据纠错是否成功步骤之后还包括：

若纠错成功则更新对应的拉偏电压记录。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

维护每个block和page在发生UECC后进行read retry将数据纠正回来的拉偏电压等级，并重新排列原厂提供的电压拉偏等级表。

一种基于read retry的拉偏电压选择实现装置，所述基于read retry的拉偏电压选择实现装置包括：

第一判断模块，所述第一判断模块用于Nand flash读取数据并判断是否发生UECC；