[发明专利]盐和包含其的光致抗蚀剂

说明书

本申请涉及光致抗蚀剂组合物、用于提供光致抗蚀剂浮雕图像的方法以及盐和包含其的光致抗蚀剂。提供新Te盐化合物，其包括适用于极紫外光刻的光活性碲盐化合物。

本发明专利申请是申请号为201811283323.0，申请日为2018年10月31日，发明名称为“盐和包含其的光致抗蚀剂”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包含一个或多个Te原子的新盐化合物。在一个优选的方面，提供了光活性碲盐化合物，其可用于极紫外光刻。

背景技术

极紫外光刻技术(“EUVL”)是替代光学光刻技术的主要技术选择之一，用于特征尺寸20nm的大批量半导体制造。极短的波长(13.4nm)是多代技术所需高分辨率的关键促进因素。此外，整个系统概念-扫描曝光、投影光学、掩模格式和抗蚀技术-与当前光学技术所使用的非常相似。像以前的光刻技术代一样，EUVL由抗蚀技术、曝光工具技术和掩膜技术组成。主要挑战是EUV源功率和吞吐量。EUV电源的任何改进都将直接影响目前严格的抗蚀剂灵敏度规格。事实上，EUVL成像中的一个主要问题是抗蚀剂灵敏度，灵敏度越低，需要的源功率越大或者需要完全曝光抗蚀剂的曝光时间越长。功率水平越低，噪音对印刷线的线边缘粗糙度(“LER”)的影响就越大。

已经进行各种尝试来改变EUV光致抗蚀剂组合物的构成，以改进功能特性的性能。除其它之外，已经报导多种光敏性化合物。参见美国专利8039194和8652712。还参见US20150021289；US20150177613；和福永(Fukunaga)等人，《光聚合物科学与技术杂志(J.Photo Polymer Sci.)》,2017,30(1),103-3-107。

电子设备制造商致力于不断提高图案化光致抗蚀剂图像的分辨率。希望有一种可以提供增强成像能力的新型光致抗蚀剂组合物，包括可用于EUVL的新型光致抗蚀剂组合物。

发明内容

我们现在提供新盐和含有这些盐的光致抗蚀剂。在优选的方面，盐可以用作酸产生剂，包括光酸产生剂，并且可以特别适用于极紫外光刻应用。

更具体来说，在第一方面，本发明的盐包含一个或多个碲原子，通常是一个或两个碲原子，包括下式(I)的化合物：

其中R¹、R²和R³各自独立地为C_6-60芳基、C_6-20氟芳基、C_1-20杂芳基、C_7-20芳烷基、C_7-20氟芳烷基、C_2-20杂芳烷基或C_2-20氟杂芳烷基、C_1-20烷基、C_1-20氟烷基、C_3-20环烷基、C_3-20氟环烷基、C_2-20烯基、C_2-20氟烯基，其各自经取代或未经取代，

R¹通过单键或连接基团连接到另一基团R²或R³形成环，以及

Z是阴离子。

在某些优选的方面中，碲盐(Te盐)可以包括一个或多个任选的经取代的苯基取代基，如下式(IIA)或(IIB)中的任一个的盐：

其中在式(IIA)中：

R⁴和R⁵是各自相同或不同的非氢取代基，如C_1-10烷基、C_1-10氟烷基、C_3-10环烷基、C_3-10氟环烷基、C_3-10环烷氧基或C_3-10氟环烷氧基，其各自可以经取代或未经取代；