[发明专利]一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法

说明书

本申请公开了一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，涉及碲镉汞芯片霍尔测试领域，包括：获得预处理碲镉汞芯片；预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有钝化层；在碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；金属电极与碲镉汞膜层形成欧姆接触；将探针与金属电极连接，并对碲镉汞膜层进行霍尔测试。本申请中在碲镉汞膜层上需要电学引出的区域生长金属电极，然后将探针与金属电极连接进行测试即可。生长金属电极的过程操作很简单，无需在需要电学引出的区域焊接导线，避免使用焊油和铟球，从而避免对碲镉汞芯片表面造成污染，同时避免铟对碲镉汞芯片性能造成的不良影响。

技术领域

本申请涉及碲镉汞芯片霍尔测试领域，特别是涉及一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法。

背景技术

碲镉汞具有禁带宽度可调、探测光谱范围由短波波段一直延伸到长波波段、光电探测效率高等优势，是红外探测器的重要材料。碲镉汞红外探测器的核心是利用了pn结的光电特性，先在碲镉汞外延材料表面依次生长碲化镉和硫化锌钝化层，然后采用热处理的方法将碲镉汞材料层转变为p型的碲镉汞层。p型载流子浓度及迁移率对于器件性能会产生明显影响，通常需要与之匹配的n型载流子浓度从而达到最佳的器件性能，载流子参数通常采用霍尔效应进行测量。

在对碲镉汞芯片进行霍尔测试时，需要在芯片的四个角焊接与碲镉汞层连接的导线作为电极。由于芯片表面生长有碲化镉、硫化锌钝化层，在焊接导线时，需要先将碲镉汞层上需要焊接导线区域的钝化层去除，然后将导线焊接在芯片的四个角处。在焊接导线时，通常需要使用焊油和金属铟球使导线与碲镉汞芯片连接在一起，以保证金属和半导体材料之间形成良好的欧姆接触。焊接导线的方式存在以下缺陷：第一，焊油在测试过程中容易污染碲镉汞芯片表面；第二，铟具有较好的粘附性，在测试完成后不能完全从芯片表面刮掉，使得芯片在后续工艺过程中易造成表面污染，影响芯片的性能；第三，金属铟球非常小，使得焊接操作难度大。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，以避免污染芯片表面和影响芯片的性能，同时简化测试过程。

为解决上述技术问题，本申请提供一种对碲镉汞芯片进行霍尔测试的方法，包括：

获得预处理碲镉汞芯片；所述预处理碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域未覆盖钝化层，所述碲镉汞膜层除需要电学引出的区域外覆盖有所述钝化层；

在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极；所述金属电极与所述碲镉汞膜层形成欧姆接触；

将探针与所述金属电极连接，并对所述碲镉汞膜层进行霍尔测试。

可选的，获得预处理碲镉汞芯片包括：

遮挡碲镉汞芯片的碲镉汞膜层需要电学引出的区域，并在碲镉汞膜层不需要电学引出的区域生长钝化层；

对生长有钝化层的所述碲镉汞芯片进行热处理，以形成p型的碲镉汞膜层，得到所述预处理碲镉汞芯片。

可选的，获得预处理碲镉汞芯片包括：

在碲镉汞芯片的碲镉汞膜层全部区域生长钝化层；所述钝化层包括硫化锌层和碲化镉层；

对生长有钝化层的所述碲镉汞芯片进行热处理，以形成p型的碲镉汞膜层；

在所述钝化层的表面涂覆光刻胶，并去除与需要电学引出的区域对应的光刻胶；

利用浓盐酸腐蚀液腐蚀位于碲镉汞膜层需要电学引出的区域的所述硫化锌层；

利用氢溴酸腐蚀液腐蚀位于碲镉汞膜层需要电学引出的区域的所述碲化镉层，得到所述预处理碲镉汞芯片。

可选的，在所述碲镉汞膜层需要电学引出的区域生长金属电极包括：