[发明专利]流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置在审
申请号: | 202210853629.5 | 申请日: | 2022-07-11 |
公开(公告)号: | CN115966485A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 辛在原;李在晟;崔海圆;元俊皓;科里亚金·安东;金旻祐;姜亨奭;金应秀;许弼覠;成进荣 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流动 阻力 产生 单元 包括 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
壳体;
支承单元,设置在所述壳体的内部,并且在基板的两侧支承所述基板;
加热部件,设置于所述壳体的侧壁,并且用于产生用于处理所述基板的热量;
流体供应单元,用于向所述壳体的内部供应用于处理所述基板的流体,并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道,所述上部流体供应部用于向所述基板的上部供应所述流体,所述下部流体供应部用于向所述基板的下部供应所述流体,所述供应管道与所述上部流体供应部和所述下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接;以及
流动阻力产生单元,设置于所述供应管道,并且对通过所述供应管道的所述流体产生流动阻力,
其中,所述流动阻力产生单元设置在所述供应管道所包括的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元对通过所述曲管并流向所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的流体产生流动阻力。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在所述曲管为多个的情况下,所述流动阻力产生单元设置在相邻于所述上部流体供应部或所述下部流体供应部的曲管与所述上部流体供应部或所述下部流体供应部之间。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元限制所述流体的流量从而对所述流体产生流动阻力。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元设置为多个。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元分别设置在所述曲管的前后。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述流动阻力产生单元包括:
主体;以及
内部孔,形成在所述主体的内部,
其中,所述内部孔的宽度可变。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
所述内部孔包括瓶颈区间。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
所述内部孔的宽度朝向中央减小,并且朝向两端增大。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元设置为孔口型结构、多管型结构和缓冲罐型结构中的任一种结构。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元在设置为孔口型结构的情况下具有包括瓶颈区间的内部孔。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元在设置为多管型结构的情况下形成为在分支之后重新结合。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
所述流动阻力产生单元在设置为缓冲罐型结构的情况下具有宽度大于所述供应管道的内部孔。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述流动阻力产生单元包括:
主体;
内部孔,形成在所述主体的内部;以及
翼部件,从所述主体的内表面突出形成,
其中,所述翼部件使所述流体旋转。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中,
所述翼部件沿着所述主体的内表面的周向从所述主体的一端延伸到所述主体的另一端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造