[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法在审
| 申请号： | 202210850573.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115020436A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陶磊;郭育清;张燚;王厚有 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 以及 背照式 图像传感器 形成 | ||
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆包括第一衬底和位于所述第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于所述第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层键合；
对所述晶圆键合结构进行气泡检查，并判断气泡是否合格；若不合格，对所述晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，去除所述第一键合层的表层部分，再对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合。
2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述第一键合层的表层部分。
3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，去除所述第一键合层的表层部分的厚度为180埃~220埃。
4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在对所述晶圆键合结构进行解键合处理之后、对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合之前，对所述器件晶圆和承载晶圆的粗糙度和弯曲度进行检查。
5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合后，对所述晶圆键合结构进行气泡检查。
6.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一键合层为氧化层。
7.如权利要求1或6所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用PECVD工艺形成所述第一键合层。
8.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第二键合层为氧化层。
9.如权利要求1或8所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述第二键合层。
10.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1~9中任一项所述的晶圆键合方法进行键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
