[发明专利]闪存器件、存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

衬底；

垂直于所述衬底的第一立体沟道及第二立体沟道；

相对设于所述第一立体沟道的两端的第一漏端及第一源端，相对设于所述第二立体沟道的两端的第二漏端及第二源端，其中，所述第一源端位于所述第一立体沟道靠近所述衬底的一端，所述第二源端位于所述第二立体沟道靠近所述衬底的一端；

至少部分环绕所述第一立体沟道的第一存储结构，至少部分环绕所述第二立体沟道的第二存储结构，所述第一立体沟道及所述第二立体沟道均呈长方体状，各包括第一面、第二面及两个第三面，所述第一存储结构覆盖所述第一立体沟道的第二面及第三面，所述第二存储结构覆盖所述第二立体沟道的第二面及第三面，所述第一面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的背离面，所述第二面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的相对面，两个所述第三面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的剩余的侧面；

覆盖所述第一存储结构及所述第二存储结构的栅极结构；以及，

位于所述第一源端及所述第二源端之间的源线，所述源线位于所述栅极结构的下方，所述源线电连接所述第一源端及所述第二源端。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储结构及所述第二存储结构均为ONO结构。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述源线包括第一导体部及第二导体部，所述第一导体部连接所述第一源端及所述第二源端，所述第二导体部位于所述第一导体部的下方且与所述第一导体部电连接。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述第一导体部的材质包括多晶硅，所述第二导体部的材质包括金属钨。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述栅极结构包括第一栅部及与所述第一栅部连接的第二栅部，所述第一栅部覆盖所述第一存储结构及所述第二存储结构的第二面，所述第二栅部覆盖所述第一存储结构及所述第二存储结构的第三面，且所述第一栅部的顶面高于所述第二栅部的顶面。

6.一种存储单元的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有沿第一方向排列的第一鳍片结构及第二鳍片结构；

执行离子注入工艺，在所述第一鳍片结构中形成由下至上的第一源端、第一立体沟道及第一漏端，在所述第二鳍片结构中形成由下至上的第二源端、第二立体沟道及第二漏端；

在所述第一源端及所述第二源端之间形成源线，所述源线沿第二方向延伸且电连接所述第一源端及所述第二源端，所述第二方向与所述第一方向正交；

形成至少部分环绕所述第一立体沟道的第一存储结构及至少部分环绕所述第二立体沟道的第二存储结构，所述第一立体沟道及所述第二立体沟道均呈长方体状，各包括第一面、第二面及两个第三面，所述第一存储结构覆盖所述第一立体沟道的第二面及第三面，所述第二存储结构覆盖所述第二立体沟道的第二面及第三面，所述第一面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的背离面，所述第二面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的相对面，两个所述第三面为所述第一立体沟道及所述第二立体沟道的剩余的侧面；

形成覆盖所述第一存储结构及所述第二存储结构的栅极结构。

7.根据权利要求6所述的存储单元的制造方法，其特征在于，所述离子注入工艺包括：

执行沟道离子注入工艺，在所述第一鳍片结构及所述第二鳍片结构中形成有源区；

形成覆盖所述第一鳍片结构及所述第二鳍片结构的中间区域的侧墙结构，并暴露所述第一鳍片结构及所述第二鳍片结构的上端区域及下端区域；

执行源漏离子注入工艺，在所述第一鳍片结构的下端区域形成所述第一源端，在所述第一鳍片结构的上端区域形成所述第一漏端，在所述第二鳍片结构的下端区域形成所述第二源端，在所述第二鳍片结构的上端区域形成所述第二漏端；

去除所述侧墙结构，所述第一漏端与所述第一源端之间的有源区作为所述第一立体沟道，所述第二漏端与所述第二源端之间的有源区作为所述第二立体沟道。