[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，所述器件晶圆包括第一衬底和位于所述第一衬底上的第一键合层，对所述第一键合层进行退火工艺处理，以使得所述第一键合层内的水分被去除，采用化学机械研磨工艺去含水量较高的表层的部分第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于所述第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层之间键合；

对所述晶圆键合结构进行气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对所述晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，对解键合处理后的器件晶圆进行氢退火工艺处理以去除所述第一键合层中的水分子，再对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合；其中，所述氢退火工艺的氢气的气体流量为1slm~15slm。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述氢退火工艺的工艺温度为100℃~500℃。

3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述氢退火工艺的工艺时间为30min~60min。

4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在对所述晶圆键合结构进行解键合处理之后、对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合之前，对所述器件晶圆和承载晶圆的粗糙度和弯曲度进行检查。

5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在对所述器件晶圆和所述承载晶圆进行重新键合后，对所述晶圆键合结构进行气泡检查。

6.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一键合层和第二键合层均为氧化层。

7.如权利要求6所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用PECVD工艺形成所述第一键合层。

8.如权利要求6所述的晶圆键合方法，其特征在于，采用热氧化工艺形成所述第二键合层。

9.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1~8中任一项所述的晶圆键合方法进行键合。