[发明专利]通用横式石英舟及同时对不同规格硅片的氧化热处理方法在审
申请号: | 202210849699.3 | 申请日: | 2022-07-19 |
公开(公告)号: | CN115116910A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 徐佳美;祁海滨;王若男;李金波;冉泽平;芮阳 | 申请(专利权)人: | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/324 |
代理公司: | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人: | 杜振学 |
地址: | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通用 石英 同时 不同 规格 硅片 氧化 热处理 方法 | ||
1.一种通用横式石英舟,其特征在于,包括顶板、底板、以及至少两个连接件,每个连接件的上端和顶板相连接,每个连接件的下端和底板相连接,相邻的连接件之间以预设的间距相隔,每个连接件的内侧壁设置多个横向的载料板,所有载料板前端位于所有连接件围成区域的内部,同一高度处的所有载料板形成一个放置架,放置架用于放置硅片,每个载料板上设置至少两个放置平台,相邻的放置平台形成台阶状,靠近载料板的前端的放置平台最低,同一高度处的放置平台围设形成一种规格硅片所对应的放置空间,每层放置架上放置不同规格的硅片。
2.如权利要求1所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,每一个载料板上侧为连续台阶状,对应的载料板的下侧为对应的台阶状。
3.如权利要求2所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,每层载料板之间的间距为15-25mm。
4.如权利要求1所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,顶板上设置叉架,该叉架供外界转移叉插入以将通用横式石英舟移动。
5.如权利要求4所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,叉架为两个,两个叉架并排设置在顶板上端面上,叉架的端面为U形槽。
6.如权利要求1所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,底板下端面上设置至少三个支撑架,上述支撑架用于支撑使通用横式石英舟稳定放置在工位上。
7.如权利要求6所述的一种通用横式石英舟,其特征在于,底板为圆环状,多个支撑架环绕分布在底板的下端面上。
8.一种同时对不同规格硅片的氧化热处理方法,采用如权利要求1-7任意一项所述通用横式石英舟实现,其特征在于,包括如下步骤:
S1、氧化热前处理,氧化热前处理顺序依次为碱洗、清洗和酸洗;
S2、氧化退火处理,首先给退火炉的预热,接着将不同规格的硅片放置在本申请的通用横式石英舟内,再将装好硅片的通用横式石英舟放入退火炉内加热30-60min,最后用配套的石英舟转移叉将通用横式石英舟从退火炉内取出并放置在冷却工位,开启风扇给退火的硅片快速降温。
9.如权利要求8所述的同时对不同规格硅片的氧化热处理方法,其特征在于,S1步骤中的“碱洗”具体为:先将硅片放入到腐蚀篮内并浸入NaoH溶液、TSC-1表面活性剂和水混合形成的溶液中,上述NaoH溶液的浓度为49%,49%NaoH溶液、TSC-1表面活性剂和水的体积比为195:105:2,目的是为了去除硅片表面的油脂,腐蚀8-10min后取出腐蚀篮;
S1步骤中的“清洗”具体为:再将其放入到溢流槽内,用溢流的去离子水清洗硅片表面残留的腐蚀液;
S1步骤中的“酸洗”具体为:再接着将其放入到由HF、HNO3、CH3COOH混合形成的酸溶液中,去除硅片表面的损伤层,上述HF的浓度为49%、HNO3的浓度为70%、CH3COOHHF的浓度为99%,49%的HF、70%的HNO3、99%的CH3COOH、H2O的质量比为1-1.5:3-4:2-3:5-7,腐蚀8-10min后取出腐蚀篮并以同样的方式用流动的去离子水进行清洗,最后将硅片吹干。
10.如权利要求8所述的同时对不同规格硅片的氧化热处理方法,其特征在于,S2步骤中的“退火炉的预热”具体是将退火炉的温度设定为600-800℃,预热20分钟使炉内温度稳定;
S2步骤中的“接着将不同规格的硅片放置在本申请的通用横式石英舟内”具体为:将不同规格的硅片依次放入到横式石英舟内,规格最小的硅片放置在最内层及最下层的放置空间中,规格最大的硅片放置在最外层及最上层的放置空间中,再用配套的石英舟转移叉将装好硅片的通用横式石英舟快速、稳当的放入退火炉内加热30-60min;
S2步骤中的“开启风扇给退火的硅片快速降温”具体为:风扇以倾斜向下的方式对石英舟及硅片降温,风扇的中心轴和石英舟最上端形成倾斜10°的夹角,风速为30-50m/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造