[发明专利]基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装结构及工艺

权利要求书

1.一种基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：

S1、制作带有单面互连层的中介层，具体步骤如下：

S1.1)在中介层硅基表面沉积薄膜，在薄膜上涂覆光刻胶，对光刻胶曝光显影，显露出TSV盲孔区域；采用湿法刻蚀或者等离子体干法刻蚀对TSV盲孔区域的薄膜进行非等向刻蚀处理；刻出TSV盲孔后去除薄膜和光刻胶，完成TSV盲孔制作；在中介层硅基及TSV通孔表面通过PECVD沉积绝缘层；

S1.2)在TSV盲孔中电镀填充铜，平坦化并去除多余铜，完成铜柱填充后，在中介层硅基上方制作第一再布线层和金属凸块；

S1.3)在中介层正面键合临时玻璃载板，晶圆减薄使得中介层背面露出硅通孔铜柱；

S1.4)去除临时玻璃载板，并采用等离子体清洗，完成中介层制作；

S2、并行的提供临时玻璃载板，在玻璃载板正面涂层，并制作第二再布线层；

S3、将带有单面互连层的中介层背面与第二再布线层进行面对面键合，将键合后的模组实现塑封，通过机械研磨露出中介层凸块；

S4、将芯粒底部凸块与中介层凸块通过导电材料实现电连接，并再次实现塑封；

S5、去除临时玻璃载板，并在背面进行植球，以便实现下一层互连。

2.根据权利要求1所述的基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：所述步骤S1中，中介层硅基正面需精细研磨1～50um，之后采用等离子体清洗。

3.根据权利要求1或2所述的基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：所述步骤S1中，玻璃载板通过临时键合层与中介层硅基正面键合，键合方式为激光、热解或机械方法。

4.根据权利要求3所述的基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：所述步骤S1中，通过光刻，干法或湿法刻蚀工艺使TSV盲孔底部露出，露出高度不小于1μm。

5.根据权利要求1或2或4所述的基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：所述再布线层为铜、铝、金、钼、钯或银中任一种或两者以上混合。

6.根据权利要求5所述的基于芯粒概念的局部中介层2.5D扇出封装工艺，其特征在于：所述塑封用的材料为氧化硅、碳化硅、环氧树脂、酚醛树脂或聚酰亚胺中任一种。