[发明专利]一种显示面板

说明书

本发明涉及一种显示面板。本发明的第二金属层包括与所述第二半导体层对应设置的第一屏蔽部，所述第一屏蔽部与第一固定电位电连接；利用第一屏蔽部屏蔽衬底内部的正负离子的电荷中心不重合形成的电场和不同膜层的界面处形成的电场，避免该电场对第二半导体层的工作特性受到影响，避免出现显示残像现象和ESD炸伤现象。同时避免现有技术中IGZOTFT的下栅极静电屏蔽效果差、下沟道容易出现提前开启导致驼峰效应(Hump)、信赖性降低等问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

低温多晶氧化物薄膜晶体管(英文：Low Temperature Poly-Oxide TFT，简称LTPOTFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。在显示面板领域，LTPO基板可在衬底上采用低温多晶硅薄膜晶体管(英文：Low Temperature Poly-Silicon TFT，简称LTPS TFT)和氧化物半导体薄膜晶体管(IGZOTFT)组合搭配作为像素驱动电路。

其中，衬底内部的正负离子的电荷中心不重合容易形成电场，也就是极化效应形成电场。而且不同膜层的界面处存在电荷也会形成电场。上述电场会影响薄膜晶体管的工作特性，使工作电流发生偏移，最后导致显示面板的发光层两端的压差不一样，导致每一帧的显示亮度有差异，出现显示残像问题。当上述电场足够大时，这些电荷会击穿显示面板的屏幕，即屏幕ESD炸伤现象。而且在显示面板的制备阶段会出现撕膜和贴膜的过程，这两个过程非常容易出现静电，而且这种静电场强很大，也会导致屏幕击穿，即ESD炸伤。

为了解决这些问题，一般在LTPSTFT背部制备一些金属遮挡层(BSM:backshielding metal)结构，将IGZOTFT设置成上下两个栅极的双栅结构，下栅极电极可类似于BSM的屏蔽功能，进而屏蔽电荷对薄膜晶体管造成的电学特性漂移问题。但是将IGZOTFT设置成双栅结构存在诸多缺陷，例如：IGZOTFT中的下栅极电极的宽度有限，无法做到像BSM大面积的屏蔽，对静电的屏蔽效果有限；下沟道容易出现提前开启导致驼峰效应(Hump)；外界的偏压、温度、光照会同时影响上下两个沟道，将导致IGZOTFT的转移特性曲线IdVg发生偏移，导致IGZOTFT的信赖性降低。

发明内容

本发明的目的是提供一种显示面板，其能够解决现有技术中的IGZOTFT的下栅极静电屏蔽效果差、下沟道容易出现提前开启导致驼峰效应(Hump)、信赖性降低等问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括：衬底；第一半导体层，设置在所述衬底的一侧；第二半导体层，设置在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层的材料包括金属氧化物；第一金属层，设置在所述第二半导体层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括与所述第二半导体层对应设置的第一栅极；第二金属层，设置在所述第二半导体层和所述衬底之间，所述第二金属层包括与所述第二半导体层对应设置的第一屏蔽部，所述第一屏蔽部与第一固定电位电连接。

进一步的，所述显示面板还包括：第三金属层，设置在所述第一半导体层和所述衬底之间，所述第三金属层包括与所述第一半导体层对应设置的第二屏蔽部，所述第二屏蔽部与第二固定电位电连接。

进一步的，所述显示面板包括：显示区和包围所述显示区的非显示区；所述显示面板还包括：第四金属层，设置在所述第一金属层远离所述衬底的一侧，所述第四金属层包括设置在所述显示区和所述非显示区的第一走线，所述第一走线接入所述第一固定电位；其中，所述第一屏蔽部在所述显示区通过第一过孔与所述第一走线电连接。

进一步的，所述第四金属层还包括设置在所述非显示区中的第二走线，所述第二走线接入所述第二固定电位；其中，所述第三金属层包括多个设置在所述显示区中的第二屏蔽部，相邻的所述第二屏蔽部相互电连接，所述第二屏蔽部通过第二过孔与所述第二走线电连接。