[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210837100.4 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115472569A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一基板，具有一顶面；
一鳍结构，位于该基板上，且沿一第一方向纵向延伸，该鳍结构包括一通道层堆叠；
一源极部件和一漏极部件，形成于该鳍结构上；
一栅极结构，位于该基板上，且沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸，且介于该源极部件和该漏极部件之间，该栅极结构具有与该通道层堆叠接合的一栅极堆叠；
一栅极通孔，直接设置在该栅极堆叠上；
一源极通孔，电性连接该源极部件；以及
一漏极通孔，电性连接该漏极部件，
其中该源极通孔具有沿该第二方向的一第一尺寸和沿该第一方向的一第二尺寸，该漏极通孔具有沿该第二方向的一第三尺寸和沿该第一方向的一第四尺寸，以及
其中该第一尺寸对该第二尺寸的比率大于该第三尺寸对该第四尺寸的比率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
