[发明专利]连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置及加工工艺

权利要求书

1.连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，其特征在于，该连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，包括粉尘除尘箱(1)，清洗箱(2)，第一烘干箱(3)，有机溶剂去除箱(4)，第二烘干箱(5)，有机溶剂检测站(6)，重金属置换箱(7)，第三烘干箱(8)，重金属检测站(9)，三级煅烧塔(10)，输料泵(11)，氮吹装置(12)和微波辅助装置(13)，所述的粉尘除尘箱(1)，清洗箱(2)，第一烘干箱(3)，有机溶剂去除箱(4)，第二烘干箱(5)，有机溶剂检测站(6)，重金属置换箱(7)，第三烘干箱(8)，重金属检测站(9)和三级煅烧塔(10)之间依次管路连接设置；所述的输料泵(11)螺栓连接在每相邻的两个处理箱之间；所述的粉尘除尘箱(1)的上部设置有除尘风机；所述的清洗箱(2)的下部设置有排水管；所述的第一烘干箱(3)，第二烘干箱(5)和第三烘干箱(8)的上部设置有冷凝废气处理管，所述的第一烘干箱(3)，第二烘干箱(5)和第三烘干箱(8)的下部设置有冷凝废水处理管；所述的氮吹装置(12)与有机溶剂去除箱(4)相管路连接设置；所述的微波辅助装置(13)与重金属置换箱(7)相管路连接设置。

2.如权利要求1所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，其特征在于，所述的三级煅烧塔(10)的内部从上到下依次设置有第一煅烧室(101)，第二煅烧室(102)，第三煅烧室(103)和存储斗(104)。

3.如权利要求1所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，其特征在于，所述的第一烘干箱(3)，第二烘干箱(5)和第三烘干箱(8)分别采用真空烘干箱；所述的第一烘干箱(3)，第二烘干箱(5)和第三烘干箱(8)的真空压力为4公斤压力，烘干温度为120-130℃。

4.如权利要求1所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，其特征在于，第一烘干箱(3)，第二烘干箱(5)和第三烘干箱(8)的烘干温度设置在120-130℃。

5.如权利要求1所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置，其特征在于，该连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置生产高纯二氧化硅工艺，具体包括以下步骤：

步骤一：危废硅胶的粉碎除杂；

步骤二：危废硅胶碎料的清洗；

步骤三：危废硅胶的烘干备用；

步骤四：危废硅胶有机溶剂的去；

步骤五：硅胶颗粒的真空烘干；

步骤六：有机溶剂含量检测；

步骤七：离子重金属的水洗置换；

步骤八：煅烧预备料的烘干；

步骤九：重金属含量检测；

步骤十：硅胶粉末的三级锻烧；

在步骤七中，将步骤六中的符合使用标准的硅胶颗粒送入重金属置换箱(7)中进行置换，微波辅助装置(13)配合该工艺的进行；置换水为1％硝酸、0.6％盐酸水溶液，置换工艺为：递增式超声振动工艺，调节超声振动的功率分别为：300±50w，500±50w，700±50w，三次不同功率重复以上操作。

6.如权利要求5所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置生产高纯二氧化硅工艺，其特征在于，在步骤一中，将危废硅胶固体放入粉尘除尘箱(1)内进行粉碎除尘。

7.如权利要求5所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置生产高纯二氧化硅工艺，其特征在于，在步骤二中，将步骤一中的危废硅胶颗粒放入清洗箱(2)内进行清水冲洗。

8.如权利要求5所述的连续式危废硅胶回收处理制备高纯二氧化硅的装置生产高纯二氧化硅工艺，其特征在于，在步骤三中，将步骤二中清洗的硅胶颗粒吸入第一烘干箱(3)进行烘干，所述的第一烘干箱(3)的真空压力为4公斤压力，烘干温度为120-130℃，烘干4-6小时。