[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210831591.1 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115483156A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 苏焕杰;游家权;庄正吉;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一第一虚置栅极与一第二虚置栅极于一半导体基板上；
沉积一侧壁层于该第一虚置栅极与该第二虚置栅极上；
沉积一第一虚置间隔物层于该侧壁层上；
沉积一第一层间介电层于该第一虚置间隔物层上；
移除该第一层间介电层、该第一虚置间隔物层、与该侧壁层的上侧部分，以形成该第一层间介电层的残留部分、该第一虚置间隔物层的残留部分、与该侧壁层的残留部分；
移除该第一虚置栅极与该第二虚置栅极的第一部分，以形成一第一残留虚置栅极与一第二残留虚置栅极；
移除该第一虚置间隔物层的残留部分的部分以形成具有高度DSH1与宽度DSW1的多个第一虚置间隔物，并移除该侧壁层的残留部分的部分以形成具有侧壁高度SWH1与侧壁宽度SWW1的多个侧壁，其中该第一残留虚置栅极、该第二残留虚置栅极、该些第一虚置间隔物、与该些侧壁的上表面共平面；
移除该第一残留虚置栅极与该第二残留虚置栅极，以开启该半导体基板的多个露出区；
形成一栅极结构于该半导体基板的该些露出区之上以及该些侧壁之间，且该栅极结构的高度GSH1小于侧壁高度SWH1；
沉积一第二虚置层；
移除该第二虚置层的第一部分，以形成多个第二虚置间隔物于该些第一虚置间隔物上，且该些第二虚置间隔物具有高度DSH2与宽度DSW2；
沉积一第一自对准接点层；
移除该第一自对准接点层的上侧部分，以露出该第一层间介电层的残留部分的上侧表面；
移除该第一层间介电层的残留部分与该第一自对准接点层的额外部分，以露出该些第二虚置间隔物的上侧表面；
移除该些第二虚置间隔物，以定义具有上侧凹陷深度URD1与上侧凹陷宽度URW1的一上侧凹陷，并露出该些第一虚置间隔物的上侧表面；
移除该些第一虚置间隔物以定义具有下侧凹陷深度LRD1与下侧凹陷宽度LRW1的一下侧凹陷；以及
形成一插塞于该上侧凹陷中以盖住下侧凹陷并定义一气体间隔物，且该气体间隔物具有间隔物深度SPD1与间隔物宽度SPW1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210831591.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
