[发明专利]一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向沟槽型MOSFET器件，包括衬底金属，在所述衬底金属上设有第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中设有由二氧化硅绝缘材质组成的纵向沟槽，所述纵向沟槽内还设有由多晶硅材质组成的栅极，所述第一导电类型外延层表面还设有第二导电类型体区；

其特征在于，所述第二导电类型体区在第一导电类型外延层的深度大于所述纵向沟槽的深度，在所述第二导电类型体区表面还设有重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极，所述重掺杂的第一导电类型源极一侧与所述纵向沟槽相接，所述重掺杂的第一导电类型源极另一侧与所述重掺杂的第二导电类型源极相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，在所述第一导电类型外延层表面还设有第一导电类型漏极，所述第一导电类型漏极与所述纵向沟槽相接。

2.根据权利要求1所述的一种横向沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层和纵向沟槽表面还设有绝缘介质，所述绝缘介质表面还设有源极金属和漏极金属。

3.根据权利要求2所述的一种横向沟槽型MOSFET器件，其特征在于，所述源极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极相连，所述漏极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型漏极相连。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种横向沟槽型MOSFET器件，其特征在于，对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；对于P型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

5.一种横向沟槽型MOSFET器件的制作方法，基于权利要求1-4任一项所述的一种横向功率MOSFET器件，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：选取第一导电类型衬底材料并在其表面外延生长第一导电类型外延层；

步骤二：利用掩膜窗口，在所述第一导电类型外延层的上表面选择性刻蚀出纵向沟槽；

步骤三：在纵向沟槽内生长由二氧化硅材质组成的氧化层，在所述纵向沟槽内填充多晶硅至第一导电类型外延层表面，形成栅极，并将多余的多晶硅去除；

步骤四：在所述第一导电类型外延层表面注入第二导电类型离子，经高温退火形成第二导电类型体区；

步骤五：利用掩膜窗口，在第二导电类型体区表面分别注入高浓度的第一导电类型离子和第二导电类型离子，经高温退火后，形成重掺杂的第一导电类型源极、第一导电类型漏极和第二导电类型源极；

步骤六：在所述第一导电类型外延层表面和所述纵向沟槽表面淀积绝缘介质，然后在绝缘介质上选择性刻蚀出通孔，接着淀积金属并选择性刻蚀金属，形成源极金属、栅极金属和漏极金属，在第一导电类型衬底下方淀积金属形成衬底金属。