[发明专利]TFT基板、显示模组及电子设备有效
| 申请号: | 202210821260.X | 申请日: | 2021-10-22 | 
| 公开(公告)号: | CN115132763B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 | 
| 发明(设计)人: | 安亚斌;苏懿;贺海明 | 申请(专利权)人: | 荣耀终端有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/131;H10K59/121 | 
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 | 
| 地址: | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码: | 广东;44 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | tft 基板 显示 模组 电子设备 | ||
本申请实施例提供一种TFT基板、显示模组及电子设备。该TFT基板包括衬底、第一有源层、第一源漏极层、第一栅极、多条数据线以及布线层。其中,布线层设置于第一源漏极层远离衬底的一侧。布线层包括多条第一金属走线。多条第一金属走线的一端分别与多条数据线相耦接,且多条第一金属走线的另一端用于与显示驱动芯片相耦接。该布线层可以替代电子设备中显示区AA中的下部扇出区,用于连接TFT基板中的数据线和显示驱动芯片,以向TFT基板提供显示需要的图像信号。如此,可以实现在显示区AA扇出,从而使得电子设备的显示模组的下部扇出区不再占用非显示区,进而可以降低非显示区的面积,提高电子设备的屏占比。
本申请为2021年10月22日提交中国国家知识产权局、申请号为202111234925.9、申请名称为“TFT基板、显示模组及电子设备”的中国专利申请的分案,本申请全部内容包含在母案中。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT基板、显示模组及电子设备。
背景技术
随着全面屏技术的不断发展,电子设备对屏占比的要求越来越高。通常情况下,电子设备包括用于显示图像的显示模组。显示模组可以包括显示区(active area,AA)和位于该显示区AA周边的非显示区。
通常情况下,非显示区包括外围驱动电路(如提供扫描信号的扫描电路,显示驱动芯片等)。为了提高屏占比,需要压缩非显示区的面积。其中,可以通过压缩扫描电路的方式、或者采用瀑布屏或曲面屏来压缩非显示区的面积,将非显示区由水平方向转变为垂直方向。然而,在显示区AA与显示驱动芯片之间还具有下部扇出(fanout)区,如图1所示。该下部扇出区通过扇出的方式使显示驱动芯片与显示区AA中的数据线(data line,DL)耦接,以向显示区AA提供图像信号。该下部扇出区不能通过压缩或者弯折的方式降低该区域的面积,因此电子设备下边框处的非显示区的面积较大,这将大大影响电子设备屏占比的提高。
发明内容
本申请实施例提供一种TFT基板、显示模组及电子设备,用于解决电子设备的非显示区面积较大的问题,以提高电子设备的屏占比。
为达到上述目的,本申请的实施例采用如下技术方案:
第一方面,本申请提供一种TFT基板。该TFT基板具有行列排布的多个亚像素。该TFT基板包括衬底、第一有源层、第一源漏极层、第一栅极、多条数据线以及布线层。其中,第一有源层设置于衬底的一侧,且每个亚像素内均包括第一有源层。第一源漏极层设置于第一有源层远离衬底的一侧。第一源漏极层包括每个亚像素内的第一源极和第一漏极,且每个亚像素内的第一源极和第一漏极均耦接至亚像素内的第一有源层。第一栅极与第一有源层对应设置,且位于第一有源层与第一源漏极层之间。多条数据线位于第一源漏极层,且多条数据线分别与多列亚像素中的第一源极或第一漏极相耦接。布线层设置于第一源漏极层远离衬底的一侧。布线层包括多条第一金属走线。多条第一金属走线的一端分别与多条数据线相耦接,且多条第一金属走线的另一端用于与显示驱动芯片相耦接。
基于该TFT基板。该TFT基板中设置布线层,替代电子设备中显示区AA中的下部扇出区,用于连接TFT基板中的数据线和显示驱动芯片,以向TFT基板提供显示需要的图像信号。如此,可以实现在显示区AA扇出,从而使得电子设备的显示模组的下部扇出区不再占用非显示区,进而可以降低非显示区的面积,提高电子设备的屏占比。
一种可能的实现方式中,多条第一金属走线中不同的第一金属走线相互隔开。应理解,不同的第一金属走线用于连接不同的数据线,从而避免数据串扰而造成显示质量问题,以提高电子设备的可靠性和稳定性。
一种可能的实现方式中,显示驱动芯片位于TFT基板的一侧边缘处,第一金属走线呈“L”形延伸。如此,可以既满足多条第一金属走线中不同的第一金属走线相互隔开,还能够便于第一金属走线的布线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





