[发明专利]一种可相变的纳米片状VO2

权利要求书

1.一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：采用低温液相沉积法合并氮气气氛热处理制备纳米片状VO₂薄膜，具体步骤如下：

1） 配制一定摩尔浓度比的硫酸氧钒和乳酸的混合溶液，搅拌使其络合均匀；

2）在混合溶液中加入氨水调节混合溶液的pH值至特定范围；

3）将清洗干燥后的基板放入调PH值后的混合溶液中，恒温沉积反应一段时间后，取出基板，再冲洗干燥，得到前驱体薄膜；

4）将前驱体薄膜放入管式炉中，在一定流速的氮气气氛保护下，于一定温度下恒温退火处理后，再冷却至室温，得到VO₂薄膜，密封保存。

2.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1）中所述的硫酸氧钒和乳酸的混合溶液摩尔浓度比为5:4 ~ 1:2。

3.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2）中混合溶液的pH值为3.2 ~ 4.4。

4.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3）所述的基板的清洗干燥步骤如下：使用表面活性剂超声清洗5分钟，再用去离子水冲洗5分钟，最后重复用去离子水超声5分钟清洗3~5次，在80 ℃真空干燥2小时，待用。

5.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3）的恒温沉积的温度为60℃ ~ 90℃，时间72 小时 ~ 240 小时。

6.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤3）所述的取出基板，再冲洗干燥，具体是用去离子水冲洗2分钟，在80℃温度下干燥2小时。

7.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中所述的氮气的流速范围为25 mL/min ~ 50 mL/min，退火处理温度范围为500 ℃~ 600 ℃。

8.根据权利要求1所述的一种可相变的纳米片状VO₂薄膜的制备方法，其特征在于：步骤4）得到的VO₂薄膜为微观纳米片状。