[发明专利]一种有机半导体分子纳米层状结构及其制备方法

权利要求书

1.一种有机半导体分子纳米层状结构，其特征在于，结构规整，具有单层或多层结构；所述有机半导体分子具有式1所示结构：

其中，R选自不同种类柔性链包括不同长度烷基链C_nH_2n+1；X选自炔基，亚甲基，杂环；所选自组装有机半导体分子不局限于包含苝酰亚胺基团，还包含不同种类的芳香共轭体系，且芳环上链接基团取代位点包含芳环上取代位点及其他取代位点。

2.根据权利要求1所述的一种有机半导体分子纳米层状结构，其特征在于，在扫描隧道显微镜下具有平行条纹特征图案。

3.根据权利要求1所述的一种有机半导体分子纳米层状结构，其特征在于，是层状有机半导体材料，能够用于发光二极管，太阳能电池以及晶体管中。

4.根据权利要求1所述的一种有机半导体分子纳米层状结构，其特征在于，生长方式为层状生长，由一个或者几个单层构成。

5.根据权利要求1-4任一项所述的有机半导体分子纳米层状结构，其特征在于，所述有机半导体分子纳米层状结构利用自组装的方式制备出来。

6.制备权利要求1-4任一项所述的有机半导体分子纳米层状结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：选取有机半导体分子分别溶解溶剂中，浓度为0.01至10mM；

步骤二：加热使其充分溶解；

步骤三：对所用到的基底进行处理，使其变得平整；其中，生长有机半导体分子纳米层状结构所选用的基底为基底具有惰性表面且不与有机半导体分子有强的相互作用的基底，所述基底为高定向热解石墨(HOPG)，Au(111)，Cu(000)，Cu(100)，Cu(111)，Si(111)中的一种或多种；

步骤四：操作台水平校准，防震处理；

步骤五：固定基底，在基底上沉积有机半导体分子；

步骤六：沉积5至60分钟，即可得有机半导体分子纳米层状结构；

步骤七：利用扫描隧道显微镜对制备得到的有机半导体分子纳米层状结构进行扫描获得图像，扫描所用条件为偏置电压-100至-1000mV，隧道电流0至100pA。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤一中，所选用的有机半导体分子为高纯度的有机半导体分子单体。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤一中，所选用的溶剂包含丁酸，戊酸，己酸，辛酸，辛醇，1-苯基辛烷，1,2,4-三氯苯中的一种或多种。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤二中，所选用的加热温度为0至100摄氏度。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤五中，基底在有机半导体分子纳米层状结构形成过程中，要维持在10至40摄氏度条件下。