[发明专利]一种低功耗高电源纹波抑制比的电压缓冲器

权利要求书

1.一种低功耗高电源纹波抑制比的电压缓冲器，其特征在于，包括：

增益级，所述增益级的输入端连接至外部的一输入电路；

驱动级，所述驱动级的输入端连接所述增益级的输出端；

输出级，所述输出级包括输出场效应管和隔离场效应管，所述输出级通过所述输出场效应管连接所述驱动级的输出端和输出电路；

所述输出场效应管通过所述隔离场效应管连接至电源电路，以提高所述电压缓冲器的电源纹波抑制比；

偏置级，所述偏置级的输出端分别连接至所述增益级和所述隔离场效应管，以使得所述增益级和所述隔离场效应管共用偏置电流。

2.根据权利要求1所述的电压缓冲器，其特征在于，所述增益级包括：

第一输入场效应管，所述第一输入场效应管的栅极连接至所述增益级的输入端；

第二输入场效应管，所述第二输入场效应管的栅极连接至所述输出级的输出端；

差分输入场效应管，所述差分输入场效应管的栅极连接至所述偏置级的第一输出端，所述差分输入场效应管的漏极分别连接至所述第一输入场效应管的源极和所述第二输入场效应管的源极，所述差分输入场效应管的源极接地；

第一放大场效应管，所述第一放大场效应管的源极连接至所述第一输入场效应管的漏极，所述第一放大场效应管的栅极连接至外部的第一偏置电路；

第二放大场效应管，所述第二放大场效应管的源极连接至所述第二输入场效应管的漏极，所述第二放大场效应管的栅极连接至所述第一偏置电路，所述第二放大场效应管的漏极连接至所述增益级的输出端；

第一负载场效应管，所述第一负载场效应管的源极和栅极连接至所述第一放大场效应管的漏极，所述第一负载场效应管的漏极接地。

3.根据权利要求2所述的电压缓冲器，其特征在于，所述增益级还包括：

第二负载场效应管，所述第二负载场效应管的漏极连接至所述第一输入场效应管的漏极，所述第二负载场效应管的栅极连接至外部的第二偏置电路，所述第二负载场效应管的源极连接至所述电源电路；

第三负载场效应管，所述第三负载场效应管的漏极连接至所述第一输入场效应管的漏极，所述第三负载场效应管的栅极连接至所述第二偏置电路，所述第三负载场效应管的源极连接至所述电源电路。

4.根据权利要求2所述的电压缓冲器，其特征在于，所述驱动级包括：

第一偏置场效应管，所述第一偏置场效应管的源极连接至所述增益级的输出端；

第二偏置场效应管，所述第二偏置场效应管的源极连接至所述第一偏置场效应管的漏极；

第一驱动场效应管，所述第一驱动场效应管的栅极分别连接至所述第一偏置场效应管的栅极和所述第二偏置场效应管的栅极，所述第一驱动场效应管的漏极连接至所述电源电路，所述第一驱动场效应管的源极连接至所述驱动级的输出端；

第二驱动场效应管，所述第二驱动场效应管的栅极分别连接至所述第一偏置场效应管的栅极和所述第二偏置场效应管的栅极，所述第二驱动场效应管的源极连接所述第一驱动场效应管的源极，所述第二驱动场效应管的漏极接地。

5.根据权利要求4所述的电压缓冲器，其特征在于，所述驱动级还包括：

第四负载场效应管，所述第四负载场效应管的栅极连接至所述第一放大场效应管的漏极，所述第四负载场效应管的漏极接地，所述第四负载场效应管的源极连接至所述第二偏置场效应管的漏极；

主极点补偿电容，所述主极点补偿电容的第一端连接至所述第一偏置场效应管的漏极，所述主极点补偿电容的第二端接地。

6.根据权利要求2所述的电压缓冲器，其特征在于，在所述输出级中，所述输出场效应管的栅极连接至所述驱动级的输出端，所述输出场效应管的源极连接至所述输出电路；

所述隔离场效应管的栅极连接至所述偏置级的第二输出端，所述隔离场效应管的源极连接至所述输出场效应管的漏极，所述隔离场效应管的漏极连接至所述电源电路。