[发明专利]一种太阳能电池组件以及太阳能电池组件的制备方法在审
申请号: | 202210816386.8 | 申请日: | 2022-07-12 |
公开(公告)号: | CN115020521A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 陈斌;汤坤;尹海鹏;宋戈;郑清伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司;华能陕西发电有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李召春;杨倩 |
地址: | 225131 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 以及 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:层压件,以及设置在所述层压件侧面的边框(40);
所述层压件包括玻璃(10),
设置在所述玻璃(10)的第一主表面上的封装膜(20)和电池片(30),
以及,设置在所述玻璃(10)远离所述电池片(30)的第二主表面和所述玻璃(10)靠近所述边框(40)的侧面的抗压阻湿绝缘膜(50);
其中,所述抗压阻湿绝缘膜(50)可阻止阳离子流入所述电池片(30);
所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度,大于所述边框(40)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度,并且所述抗压阻湿绝缘膜(50)没有覆盖全部所述玻璃(10)的第二主表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度,小于或者等于所述电池片(30)侧面与所述玻璃(10)侧面之间的距离。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述层压件还包括:设置在所述玻璃(10)的第一主表面上的抗压阻湿绝缘膜(50),所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第一主表面上的覆盖长度,大于所述边框(40)在所述玻璃(10)的第二主表面的覆盖长度,并且所述抗压阻湿绝缘膜(50)没有覆盖全部所述玻璃(10)的第一主表面。
4.根据权利要求1~3所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述抗压阻湿绝缘膜(50)的厚度为10nm~200nm。
5.根据权利要求1~3所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述抗压阻湿绝缘膜(50)为硅油、氟硅油、硅酮、硅脂中的一种或多种与所述玻璃(10)表面的氧化硅键合形成。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述太阳能电池组件包括一块所述玻璃(10),所述玻璃(10)设置在所述电池片(30)的正面;
或者,所述太阳能电池组件包括两块所述玻璃(10),分别设置在所述电池片(30)的正面和背面,至少一块所述玻璃(10)远离所述电池片(30)的第二主表面和所述玻璃(10)靠近所述边框(40)的侧面设置有所述抗压阻湿绝缘膜(50)。
7.一种太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,包括:
步骤101,提供玻璃(10),所述玻璃(10)具有第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面、以及侧面;在所述玻璃(10)的第二主表面和侧面生成抗压阻湿绝缘膜(50);
步骤102,将所述玻璃(10)的第一主表面上依次设置封装膜(20)和电池片(30),经过层压形成层压件;
步骤103,在所述层压件的侧面设置边框(40);
其中,所述抗压阻湿绝缘膜(50)可阻止阳离子流入所述电池片(30);
所述抗压阻湿绝缘膜(50)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度,大于所述边框(40)在所述玻璃(10)的第二主表面上的覆盖长度,并且所述抗压阻湿绝缘膜(50)没有覆盖全部所述玻璃(10)的第二主表面。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,所述步骤101包括:
步骤1-1,采用清洗液对所述玻璃(10)的表面进行清洗处理;
步骤1-2,对所述玻璃(10)上抗压阻湿绝缘膜(50)的形成区域进行表面活化处理,以使得所述玻璃(10)表面的Si-O键断裂活化;
步骤1-3,在所述形成区域添加处理剂,对所述形成区域进行等离子表面处理,使得所述处理剂与所述形成区域表面的氧化硅进行键合,并对所述形成区域进行热处理,以生成所述抗压阻湿绝缘膜(50)。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,所述处理剂为硅油、氟硅油、硅酮、硅脂中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,所述热处理的温度为60℃~150℃,所述热处理的时间为3min~10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的