[发明专利]一种化学机械抛光垫及其制备方法和应用在审
申请号: | 202210813035.1 | 申请日: | 2022-07-08 |
公开(公告)号: | CN115946039A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 相红旗;陈浩聪;姚力军 | 申请(专利权)人: | 宁波赢伟泰科新材料有限公司;宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | B24B37/24 | 分类号: | B24B37/24;B24B37/26;B24D18/00;B29D7/01;C09G1/02 |
代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 安栎 |
地址: | 315000 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤
S1.制备聚氨酯浆料;
S2.将S1所得聚氨酯浆料涂覆于透明薄膜卷材表面,并用凝结液进行凝固,得到聚氨酯膜;
S3.将S2所得聚氨酯膜浸泡于碱溶液中,随后用水清洗、后处理,即得;
所述S1中聚氨酯浆料的制备原料,以重量份计,包括含酯键的聚合物0.5-13份、极性溶剂15-65份、阴离子物质1-6份、聚氨酯树脂100份。
2.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述含酯键的聚合物选自聚乳酸、聚乳酸羟基乙酸共聚物、聚丁二酸丁二醇酯、碱溶性聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述S1中制备聚氨酯浆料的具体操作为:将含酯键的聚合物、阴离子物质在极性溶剂中分散均匀后,加入聚氨酯树脂,即得;
所述含酯键的聚合物为经过预处理后的微米级含酯键的聚合物粉末。
4.根据权利要求1或3所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述阴离子物质选自十二烷基苯磺酸钠、十二烷基磺酸钠、琥珀酸二辛酯磺酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸单酯二钠、木质素磺酸盐、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、月桂醇硫酸钠中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述预处理的具体操作为:将不饱和键的聚合物通过第一次粉碎处理后成为小颗粒,第二次粉碎处理后成为细小粉末,然后用不锈钢筛网筛取粉末,即得。
6.根据权利要求5所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述不锈钢筛网的目数为800~2000目;
所述含酯键的聚合物粉末的平均粒径为≤25μm。
7.根据权利要求6所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述粉碎处理的方式选自机械粉碎机粉碎、研磨机粉碎、气流粉碎机粉碎中的一种。
8.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光垫的制备方法,其特征在于,所述S3中碱溶液选自氢氧化锂水溶液、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸钠水溶液、氨水水溶液中的至少一种;
所述碱溶液的温度为1~100℃;所述碱溶液中溶质的质量百分数为1%~55%。
9.一种化学机械抛光垫,其特征在于,其是由权利要求1-8任一项所述的制备方法得到。
10.一种根据权利要求9所述的化学机械抛光垫的应用,其特征在于,其用于半导体芯片制造的化学机械抛光工艺。
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