[发明专利]电平转换电路和电子设备

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，包括：输入端、输出端和高电平导通支路；所述高电平导通支路包括串联耦合在所述输入端和所述输出端之间的第一反向电路和第二反向电路；所述第二反向电路由第二电压供电；

所述第一反向电路用于当所述输入端输入第一电压的高电平时，向所述第二反向电路输出低电平；

所述第二反向电路用于当从所述第一反向电路输入低电平时，向所述输出端输出所述第二电压的高电平。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一反向电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极耦合至所述输入端，所述第一晶体管的第一端用于输入所述第二电压，所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第一端耦合至所述第二反向电路，所述第二晶体管的第二端接地。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一晶体管的第一端为源极，所述第一晶体管的第二端为漏极，所述第二晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二晶体管的第一端为漏极，所述第二晶体管的第二端为源极。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电路，其特征在于，所述第二反向电路包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极耦合至所述第一反向电路，所述第三晶体管的第一端输入所述第二电压，所述第三晶体管的第二端耦合至所述输出端。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第三晶体管的第一端为源极，所述第三晶体管的第二端为漏极。

6.根据权利要求1-5任一项所述的电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括低电平导通支路，所述低电平导通支路和所述高电平导通支路并联耦合在所述输入端和所述输出端之间；

所述低电平导通支路用于当所述输入端输入低电平时，向所述输出端输出低电平。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述低电平导通支路包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极输入所述第一电压，所述第四晶体管的第一端耦合至所述输入端，所述第四晶体管的第二端耦合至所述输出端。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述第四晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第四晶体管的第一端为源极，所述第四晶体管的第二端为漏极。

9.根据权利要求1-8任一项所述的电路，其特征在于，所述电平转换电路还包括电阻，所述输出端通过所述电阻接地。

10.一种电子设备，其特征在于，包括主设备、从设备和如权利要求1-9任一项所述的电平转换电路，所述主设备通过串行管理接口的管理数据时钟信号线和所述电平转换电路耦合至所述从设备。