[发明专利]掩模基版、光掩模版及其制备方法

权利要求书

1.一种掩模基版，其特征在于，所述掩模基版包括：

透明基底，包括相对的第一面和第二面；

遮光层，覆盖于所述透明基底的第一面；

以及，覆盖于所述透明基底的第二面上可供至少部分预设的曝光光线透过的上转换层，所述上转换层包括由宽能隙半导体层和窄带隙半导体层形成异质结的两步光子上转换薄层；

其中，预设的曝光光线照射于所述上转换层后，至少部分所述曝光光线经过上转换作用可形成波长比所述曝光光线短的激发光线；透过所述透明基底的混合光线包括所述预设的曝光光线和所述激发光线。

2.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基底包括石英基底。

3.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述上转换层中，宽能隙半导体层或窄带隙半导体层中的任意一层与所述透明基底接触。

4.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述上转换层对所述曝光光线的综合透光率为80%以上。

5.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述宽能隙半导体层和窄带隙半导体层的材料以禁带宽度为核心指标，根据预设的曝光光线的波长选取，以实现上转换功能，并使所述激发光线的波长比预设的曝光光线的波长短5%-20%。

6.根据权利要求5所述的掩模基版，其特征在于，所述激发光线的波长比预设的曝光光线的波长短10%-15%。

7.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述激发光线占所述混合光线总功率的比例小于或等于20%。

8.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基底为一块基底材料或由两块基底材料粘合而成。

9.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，用于构成宽能隙半导体层的材料包括以下任意一种材料：硅，砷化镓，碳化硅，氮化镓，氮化铝，氮化铝镓，钻石；

和/或，用于构成窄带隙半导体层的材料包括以下任意一种材料：硅，砷化镓，碳化硅，氮化镓，氮化铝，氮化铝镓，钻石。

10.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，宽能隙半导体层包括沉积为以下任意一种结构的材料层：结晶结构，非结晶结构，量子点纳米结构；

和/或，窄带隙半导体层包括沉积为以下任意一种结构的材料层：结晶结构，非结晶结构，量子点纳米结构。

11.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，宽能隙半导体层的厚度小于30nm；

和/或，窄带隙半导体层的厚度小于30nm。

12.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述曝光光线的波长包括以下任意一种波长：193nm，248nm，365nm。

13.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述掩模基版还包括一移相材料层，所述移相材料层位于所述透明基底与所述遮光层之间。

14.一种用于制备如权利要求1~13中任意一项所述掩模基版的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一透光基板，所述第一透光基板具有相对的第一面和第二面；

于所述第一透光基板的第一面上形成遮光层；

于所述第一透光基板的第二面上形成上转换层。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，于所述第一透光基板的第二面上形成上转换层的步骤具体包括：于第二透光基板的第一面形成上转换层，以及键合所述第一透光基板的第二面和所述第二透光基板的第二面；

所述制备方法还包括：提供所述第二透光基板，所述第二透光基板具有相对的第一面和第二面。