[发明专利]像素补偿电路、系统和方法在审

专利信息
申请号: 202210800448.6 申请日: 2022-07-06
公开(公告)号: CN115019734A 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 刘帅南;高雪岭;谭仲齐;樊磊 申请(专利权)人: 北京欧铼德微电子技术有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 曹延鹏
地址: 100000 北京市北京经济*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 补偿 电路 系统 方法
【说明书】:

发明提供了一种像素补偿电路、系统和方法,第一晶体管连接电容,第四晶体管、第六晶体管、第二晶体管和第三晶体管;第二晶体管连接第一控制信号和电源;第三晶体管连接第二控制信号和数据电压;第四晶体管连接第三控制信号和电容;第五晶体管连接第四控制信号、电容和复位电压;第六晶体管连接第五控制信号和发光器件;第七晶体管连接第四控制信号、发光器件和复位电压。该电路可以控制多个控制信号以形成不同的回路,改善因磁滞效应引起的短期残像现象;在发光器件发光之前,补偿第一晶体管的阈值电压,使最终流经发光器件的电流与第一晶体管的阈值电压无关,从而消除因阈值电压漂移导致的AMOLED显示面板亮度不均、Mura等现象。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域,尤其是涉及一种像素补偿电路、系统和方法。

背景技术

由于AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体)具有响应速度快、对比度高、视角广等特点,目前发展较为广泛。AMOLED显示面板采用独立的薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)去控制每个像素,然而由于TFT的磁滞效应,当画面从一半黑一半白切换到全画面是灰阶48时,会导致AMOLED显示面板存在短期残像不良,即存在残影现象,降低了AMOLED显示面板的显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种像素补偿电路、系统和方法,以改善残影现象,提高AMOLED显示面板的显示效果。

本发明提供的一种像素补偿电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、电容和发光器件;第一晶体管的第一端连接电容的第二端,第一晶体管的第二端分别与第四晶体管的第二端、第六晶体管的第三端连接,第一晶体管的第三端分别与第二晶体管的第二端、第三晶体管的第二端连接;电容的第一端连接电源的正极;第二晶体管的第一端连接第一控制信号,第三端连接电源的正极;第三晶体管的第一端连接第二控制信号,第三端连接数据电压;第四晶体管的第一端连接第三控制信号,第三端连接电容的第二端;第五晶体管的第一端连接第四控制信号,第二端连接电容的第二端,第五晶体管的第三端连接复位电压;第六晶体管的第一端连接第五控制信号,第二端连接发光器件的阳极,发光器件的阴极连接电源的负极;第七晶体管的第一端连接第四控制信号,第二端连接发光器件的阳极,第三端连接复位电压。

进一步的,每个晶体管均为PMOS薄膜晶体管;每个晶体管的第一端为该晶体管的栅极,第二端为该晶体管的漏极,第三端为该晶体管的源极;发光器件为发光二极管。

本发明提供的一种像素补偿系统,包括:第一控制模块、第二控制模块、第三控制模块、第四控制模块、第五控制模块、复位模块,以及上述任一项的像素补偿电路;第一控制模块、第二控制模块、第三控制模块、第四控制模块、第五控制模块和复位模块分别与像素补偿电路连接;第一控制模块用于为像素补偿电路输出第一控制信号;第二控制模块用于为像素补偿电路输出第二控制信号;第三控制模块用于为像素补偿电路输出第三控制信号;第四控制模块用于为像素补偿电路输出第四控制信号;第五控制模块用于为像素补偿电路输出第五控制信号;复位模块用于为像素补偿电路提供复位电压。

本发明提供的一种像素补偿方法,方法应用于如上述任一项的像素补偿电路;方法包括:当电路工作于复位阶段时,控制第一控制信号、第四控制信号和复位电压为低电平,第二控制信号、第三控制信号和第五控制信号为高电平,以使第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管导通,对电容和发光器件进行复位。

进一步的,在复位阶段,电容的第二端和发光器件的阳极的电位均复位为低电平的复位电压。

进一步的,方法还包括:当电路工作于残像改善阶段时,控制第一控制信号、第三控制信号为低电平,第二控制信号、第四控制信号、第五控制信号为高电平,以使第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管导通,对电容充电;当电容的第二端的电位达到第一电压时,控制第一晶体管关断,以停止对电容充电。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京欧铼德微电子技术有限公司,未经北京欧铼德微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210800448.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top