[发明专利]一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法在审
申请号: | 202210799937.4 | 申请日: | 2022-07-06 |
公开(公告)号: | CN115014915A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 张洋鹏;姜海昌;韩东;潘雪新;宋元元;胡小锋;陈胜虎;戎利建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | G01N1/32 | 分类号: | G01N1/32;G01N1/28;G01N1/34;G01N1/42;G01N1/44 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 轴承钢 奥氏体 方法 | ||
1.一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:该方法首先采用氧化预处理使晶界上形成更多的易腐蚀第二相并加剧晶界元素偏析,进而增强晶界与晶界内组织的耐蚀性差异;之后再采用化学腐蚀的方法显示出原奥氏体晶界。
2.根据权利要求1所述的显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:
(1)样品制备:先将低碳轴承钢进行淬火处理,之后对样品进行机械研磨和抛光,然后使用无水乙醇对其表面进行清洁、烘干,得到待分析样品;
(2)氧化预处理:将待分析样品在干燥空气中进行保温处理,保温温度在低碳轴承钢Ac1温度以下,保温时间大于等于0.5h,冷却方式为空冷;
(3)样品表面处理:氧化预处理后的样品依次采用机械研磨和抛光的方法去除氧化层;或者,氧化预处理后的样品直接采用抛光的方法去除氧化层;
(4)化学腐蚀:将经步骤(3)表面处理过的样品干燥后放置在腐蚀剂中浸泡10-60s;所述腐蚀剂是由FeCl3、十二烷基苯磺酸钠、水和HCl组成;
(5)晶界观察:对腐蚀过后的试样先用清水再用无水乙醇清洗,之后用吹风机干燥,最后观察其奥氏体晶界。
3.根据权利要求1所述的显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:步骤(2)中,选定的氧化预处理温度为600℃~720℃,以避免组织发生再结晶等行为,确保氧化预处理不对钢的奥氏体晶粒尺寸产生影响。
4.根据权利要求1所述的显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:步骤(2)中,样品氧化预处理时,保温时间为0.5h~4h,以使样品发生充分的氧化。
5.根据权利要求1所述的显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:步骤(3)中,进行表面处理后的样品要再进行机械研磨和抛光,且研磨时需控制研磨厚度,确保仅是样品表面灰黑色薄氧化层被磨掉,当看见样品有金属光泽时停止研磨;进行抛光处理时,至样品有金属光泽时停止。
6.根据权利要求1所述的显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法,其特征在于:步骤(4)中,所述腐蚀剂是向烧杯中依次加入10g FeCl3、0.3-0.8g十二烷基苯磺酸钠、40ml水和40ml浓HCl,再进行充分搅拌后得到。
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