[发明专利]应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式

权利要求书

1.应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式，包括电感电流采样模块、阈值比较模块、逻辑控制模块、双频振荡器模块和PCM控制模块，其特征在于：所述电感电流采样模块与阈值比较模块相连，所述阈值比较模块与逻辑控制模块相连，所述逻辑控制模块产生的控制信号与双频振荡器模块的控制端相连，所述电感电流采样模块通过在功率管导通阶段对电感电流进行采样，获得带有负载电流信息的周期性信号，所述阈值比较模块通过将固定阈值与电感电流采样信号进行比较，产生周期性脉冲或者低电平信号，所述逻辑控制模块用于产生控制信号，所述双频振荡器模块用于产生双频率斜坡补偿信号和时钟信号，双频率斜坡补偿信号用来补偿峰值电流模式控制方式的次斜坡振荡。

2.根据权利要求1所述的应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式，其特征在于：所述电感电流采样模块包括运放EA、采样电阻R_sen、PMOS管M1、PMOS管M2、LDMOS管M3、LDMOS管M4、开关管M5和开关管M6，所述PMOS管M1和PMOS管M2源极均接VDD，所述PMOS管M2漏极接采样电阻R_sen，所述PMOS管M1漏极与LDMOS管M3漏极相短接，所述开关管M5和开关管M6栅极相短接，所述采样电阻R_sen一端、LDMOS管M3源极、开关管M5源极和开关管M6源极均接地，所述运放EA的输出端与PMOS管M1和PMOS管M2栅极相连接，所述LDMOS管M3漏极和开关管M5漏极均与运放EA正向端相短接，所述LDMOS管M4漏极和开关管M6漏极均与运放EA负向端相短接，所述采样电阻R_sen一端产生采样信号V1。

3.根据权利要求1所述的应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式，其特征在于：所述阈值比较模块包括迟滞比较器COM1和阈值产生器Y，所述阈值产生器Y的输出端与迟滞比较器COM1的负向端相连接，所述迟滞比较器COM1输出端产生电压信号V2。

4.根据权利要求1所述的应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式，其特征在于：所述逻辑控制模块包括D触发器D1、D触发器D2、D触发器D3、与门AND和反向器U1，所述D触发器D1和D触发器D2的D输入端均接VDD，所述D触发器D1和D触发器D2的Q输出端均与与门AND输入端连接，所述D触发器D1和D触发器D2的Reset端均与与门AND输出端相短接，所述D触发器D2的Q输出端与D触发器D3的D输入端短接，所述迟滞比较器COM1输出端产生的电压信号V2与D触发器D1的Clk端相连，所述D触发器D2的Clk端与反向器U1的输入端短接，所述反向器U1的输出端与D触发器D3的Clk端相连，所述D触发器D3的Reset端接地，所述D触发器D3的Q端产生使能信号EN。

5.根据权利要求1所述的应用在Boost变换器中的双频率可选择峰值电流模式控制方式，其特征在于：所述双频振荡器模块包括比较器COM2、电阻R₁、电阻R₂、恒流源I_b1、恒流源I_b2、开关管M7、开关管M8、开关管M9、开关管M10和电容C，所述电阻R₁一端接VDD，所述电阻R₁另一端与比较器COM2负向端相连接，所述电阻R₂一端与电阻R₁另一端相连接，所述恒流源I_b1和恒流源I_b2一端均接VDD，所述恒流源I_b2另一端与开关管M7源极相连接，所述恒流源I_b1另一端和开关管M7漏极均与开关管M8源极相连接，所述开关管M8漏极与电容C一端相连接，所述开关管M8漏极与开关管M9漏极相短接，所述电阻R₂一端与开关管M10漏极相连，所述开关管M8栅极、开关管M10栅极和开关管M9栅极相短接，所述电阻R₂另一端、电容C另一端、开关管M9源极和开关管M10源极均接地，所述开关管M7栅极与使能信号EN相短接，所述比较器COM2输出端产生Clock时钟信号，所述Clock时钟信号与开关管M8栅极相短接。