[发明专利]一种多晶硅还原炉用干式变压器

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉用干式变压器，包括主体(1)，其特征在于：所述主体(1)的顶部安装有连接块(5)，所述主体(1)的正面和背面且靠近底部的位置处安装有撑板(10)；

所述撑板(10)的内部贯穿开设有通孔(11)，所述撑板(10)的内部贯穿通孔(11)开设有活动槽(12)，所述撑板(10)的内部与活动槽(12)的两侧连通开设有导槽(13)，所述活动槽(12)的内侧放置有轴承(14)，所述轴承(14)的两侧安装有导板(15)，其中一个所述导槽(13)的底壁内侧通过转轴贯穿撑板(10)的顶部安装有螺纹杆(16)，另一个所述导槽(13)的内侧安装有导杆(17)，其中一个所述导板(15)装套在导杆(17)的外侧，另一个所述导板(15)螺纹安装在螺纹杆(16)的外侧；

所述撑板(10)的顶部安装有支板(20)，所述支板(20)的内部贯穿安装有旋杆(21)，所述旋杆(21)的外侧安装有储壳(22)，所述储壳(22)的正面、顶部和背面贯穿安装有风网(23)。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述主体(1)的底部安装有两排固板(2)，固板(2)的底部通过固定部件安装有支脚(3)，支脚(3)的两两之间安装有固杆(4)，且支脚(3)与撑板(10)相连接。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述主体(1)的顶部安装有两排连接块(5)，连接块(5)的顶部通过固定部件安装有夹板(6),夹板(6)的顶部安装有支柱(7)，支柱(7)的顶部安装有挂环(8)，靠近背部的夹板(6)的背面安装有接线排(9)。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述轴承(14)的内侧安装有转杆(18)，转杆(18)的外侧装套有滚轮(19)。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述接线排(9)通过线路与主体(1)的低压输出端相连接；

所述滚轮(19)与转杆(18)之间存在一定间隙；

所述储壳(22)背部的风网(23)没有全部贯穿储壳(22)的背部，而是留存了两个圆形的部分储壳(22)的背面。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述储壳(22)的一侧贯穿安装有马达(24)，马达(24)的输出端安装有传动杆(25)，传动杆(25)的外侧装套有一组主齿轮(26)，储壳(22)的背面留存的两个部分贯穿安装有连杆(27)，连杆(27)的外侧安装有扇叶(28)，连杆(27)的外侧安装有副齿轮(29)，且副齿轮(29)位于扇叶(28)的正面，同时副齿轮(29)与主齿轮(26)相啮合，储壳(22)的底部和撑板(10)的顶部安装有支撑板(30)，支撑板(30)的内部贯穿安装有转动杆(31)，转动杆(31)的外侧安装有电动杆(32)，两个电动杆(32)的伸缩端和固定端分别位于两个传动杆(25)的外侧。

7.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉用干式变压器，其特征在于：所述主体(1)的外侧装套有多个防护环(33)，防护环(33)的内侧与主体(1)连接安装有连接杆(34)，最顶部的防护环(33)的背部安装有一组背板(35)，背板(35)的内部贯穿安装有长杆(36)，长杆(36)的外侧装套有转板(37)，转板(37)的正面安装有护罩(38)，且护罩(38)位于主体(1)顶端的外侧，护罩(38)的顶部贯穿安装有韧性板(39)，护罩(38)的内侧安装有放置板(40)，放置板(40)的顶部安装有伸缩杆(41)，伸缩杆(41)的外侧装套有弹簧(42)，且弹簧(42)的一端与伸缩杆(41)相连接，伸缩杆(41)的顶端安装有连接头(43)，连接头(43)的顶部与韧性板(39)的顶壁内侧相连接，护罩(38)的正面安装有把手(44)。