[发明专利]低噪声列并行单斜式微光图像传感器模数转换器在审
申请号: | 202210798042.9 | 申请日: | 2022-07-08 |
公开(公告)号: | CN115052118A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 聂凯明;李少蒙;高志远;高静;徐江涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 噪声 并行 单斜 式微 图像传感器 转换器 | ||
本发明涉及CMOS集成电路领域,为实现不增加低照度下噪声的同时能够将CMS技术的量化时间缩短,且不增加额外电路模块和时序复杂度,本发明,低噪声列并行单斜式微光图像传感器模数转换器,包括比较器、计数器、斜坡发生器及输入电压判断模块,斜坡发生器通过信号控制开关,分别使正/负向斜坡输入到比较器中,比较器产生信号Comp_out,通过输入电压判断模块对信号Comp_out的判断确定输入电压Vpixel是否较低电平,通过Mode控制信号Choose_ramp的形状,从而选择输入到比较器的为正/负斜坡,同时信号Mode也控制计数器,改变计数器的计数方式。本发明主要应用于CMOS集成电路设计制造场合。
技术领域
本发明涉及CMOS集成电路领域,尤其图像传感器中的低噪声模数转换器领域。具体涉及低噪声列并行单斜式微光图像传感器模数转换器。
背景技术
模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)作为互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器的重要组成部分,其性能的优劣往往直接决定了图像传感器的成像质量,目前,ADC主要有三种集成方法,分别为芯片级ADC、列并行ADC和像素级ADC。
对于要应用于低噪声场景下的单斜ADC(Single Slope ADC,SS ADC),一般采用相关多次采样(Correlated Multiple Sampling,CMS)技术来降低噪声,采样次数越多,噪声的抑制能力越强,能够提升成像质量,但也将线性增加转换时间。由此可见,转换时间和噪声之间也存在着不可避免的矛盾,在保证单斜ADC噪声性能的同时减少ADC的转换时间也成为了一个越来越重要的问题。
综上,采用CMS技术可以降低读出噪声,但也将线性增加转换时间。针对这一问题,现有的技术存在一定的局限。两步SS ADC需要将斜坡发生器的电压在模拟域或数字域暂存,需要额外电路;要设计足够的冗余以避免错锁的发生,增加了设计复杂性。条件CMS技术需要增加多余的斜坡发生器,面临斜坡发生器之间匹配的问题,也会一定程度上增加SSADC的功耗。因此,在不增加电路规模和时序复杂度的情况下提高CMS的速度是非常必要的。
SS ADC的总体架构图如图1所示,SS ADC由比较器、计数器、斜坡发生器组成,比较器用来比较输入电压与斜坡电压,并测量比较器切换前持续的时间,将输入电压转换为数字码。传统CMS技术的工作过程如图2所示。将ADC的量化过程分为复位信号阶段和采样信号阶段,在这两个阶段分别量化来自像素或PGA的复位信号和曝光信号。在CMS技术中,像素输出的复位信号和曝光信号被多次采样并求平均值,从而抑制CMOS图像传感器中的随机噪声。并通过将这两个阶段的计数结果相减来消除像素内的固定模式噪声、KT/C噪声以及ADC中比较器的响应延迟和计数器的时钟延迟等因素造成的偏移。散粒噪声取决于信号中光电子的数量,在强光下散粒噪声才是限制信噪比的关键因素。因此对于较大的输入信号,提高采样次数对噪声的抑制效果会不明显,传统的CMS技术会有一定时间的浪费。
发明内容
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