[发明专利]一种半模基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种半模基片集成波导滤波器，其特征在于：它包括介质基板（2），在介质基板（2）的上下端面分别设置有腔体顶层金属（7）和腔体底层金属（5）；在所述腔体顶层金属（7）上刻蚀有多个槽型结构（8）形成的多个谐振器（9），以及贯穿介质基板（2）和腔体底层金属（5）的金属通孔（1），多个谐振器（9）之间通过耦合金属带（6）连接实现磁耦合，并通过设置耦合金属带（6）和槽型结构（8）的间隙大小实现电耦合，进而实现混合电磁耦合；在腔体顶层金属（7）左端的谐振器（9）上连接有输入端口（3），右端的谐振器（9）上连接有输出端口（4），多个谐振器（9）混合耦合并在谐振时形成滤波器的通带，从而实现带通滤波的功能；

多个槽型结构（8）分别刻蚀在腔体顶层金属（7）的左右两端形成四个谐振器（9），四个谐振器（9）的结构呈左右对称；位于腔体顶层金属（7）左端和右端的两个谐振器（9）通过第一耦合金属带连接，位于腔体顶层金属（7）中间的两个谐振器（9）通过第二耦合金属带连接，通过连接的第一耦合金属带和第二耦合金属带实现四个谐振器（9）的磁耦合；每个谐振器（9）具有开路端，且每个谐振器（9）的开路端位于金属通孔（1）的同一侧。

2.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导滤波器，其特征在于：所述多个槽型结构（8）的宽度间隙为W₁，第一耦合金属带的宽度间隙为W₃，第二耦合金属带的宽度间隙为W₄；通过间隙W₁、W₃和W₄来使得四个谐振器（9）实现电耦合，并与磁耦合配合实现混合电磁耦合，通过混合电磁耦合引入传输零点。

3.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导滤波器，其特征在于：所述输入端口（3）和输出端口（4）插入到谐振器（9）的深度为t，与谐振器（9）的间隔为v，通过共面波导尺寸t和v实现与谐振器（9）的共面波导形式连接。

4.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导滤波器，其特征在于：在位于腔体顶层金属（7）中间的两个谐振器（9）之间还连接有一电容（10），通过电容（10）将位于通带右侧的传输零点移到左侧，从而获得所期望的频率响应和满足响应的带宽要求。