[发明专利]一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂

说明书

本发明涉及电镀银添加剂领域，具体公开了一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂，包括以下质量份数的组分：溶剂95.47‑95.95份；含硒化合物0.9‑1.08份；含碲化合物0.25‑0.35份；含铋化合物2.9‑3.1份；含硒化合物为硫化硒、亚硒酸铵的复配；含碲化合物为碲酸铵、亚碲酸钾的复配；含铋化合物为钛酸铋、柠檬酸铋铵的复配；半导体引线框架高速镀银用光亮剂在高速镀银溶液中的用量为5‑10g/L。本发明具有提高银镀层的可焊性的优点。

技术领域

本发明涉及电镀银添加剂领域，尤其是涉及一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂。

背景技术

高速镀银是电子电镀行业的工艺之一，尤其在半导体引线框架局部镀银方面被广泛应用。

引线框架作为基座，用于固定和支撑芯片，并提供焊件的引线和导脚，通过对引线框架局部镀银，能更好地保证引线框架与芯片、金属丝的可焊性及元件的电性能。

镀银是通过电解的原理，在金属或塑料表面沉积一层薄的银金属的过程，高速镀银主要是通过采用专业设备，在很高的阴极电流密度下进行高速沉积，获得高质量镀层的过程，其中所用的高速镀银溶液体系，将直接影响镀层的质量，现有的高速镀银溶液虽然能成功实现电镀，但是得到的银镀层的可焊性一般，因此，还有改善空间。

发明内容

为了提高银镀层的可焊性，本申请提供一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂。

本申请提供的一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂采用如下的技术方案：

一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂，包括以下质量份数的组分：

溶剂95.47-95.95份；

含硒化合物0.9-1.08份；

含碲化合物0.25-0.35份；

含铋化合物2.9-3.1份；

所述含硒化合物为硫化硒、亚硒酸铵的复配；

所述含碲化合物为碲酸铵、亚碲酸钾的复配；

所述含铋化合物为钛酸铋、柠檬酸铋铵的复配；

所述半导体引线框架高速镀银用光亮剂在高速镀银溶液中的用量为5-10g/L。

通过采用上述技术方案，通过采用硫化硒、亚硒酸铵、碲酸铵、亚碲酸钾、钛酸铋、柠檬酸铋铵复配，在镀银溶液中硒、碲、铋的含量较高的条件下，能促进粒子结晶细化，使得银沉积层适用在芯片焊接载体层，提高了镀银层的可焊性。

且由于硫化硒、亚硒酸铵、碲酸铵、亚碲酸钾、钛酸铋、柠檬酸铋铵复配，使得硒、碲、铋的含量较高的情况下，不会对银镀层带来负面影响，既能提高银镀层的可焊性，又能保持银镀层的质量。

经研究发现，采用普通的硒化合物时，当镀银溶液中硒浓度高于10mg/L时，镀层光亮范围会变窄，而且镀银溶液会出现不稳定，容易变黄；采用普通的碲化合物时，当镀银溶液中碲浓度高于3mg/L时，镀层光亮范围会变窄；采用普通的铋化合物时，当镀银溶液中铋浓度高于30mg/L时，阳极上容易产生黑色物质，使阳极受到影响。

通过具体选择硫化硒、亚硒酸铵、碲酸铵、亚碲酸钾、钛酸铋、柠檬酸铋铵复配，能有效解决上述问题，提高了镀层的可焊性的同时，使得镀层光亮范围较大，且阳极上不易产生黑色物质，保持阳极质量较佳。

优选的，所述硫化硒、亚硒酸铵的质量比例为2：1。

通过采用上述技术方案，通过具体选择硫化硒、亚硒酸铵的配比，使得镀银溶液中硒浓度较高时，更不易影响镀层光亮范围，且镀银溶液更为稳定，不易变黄。

优选的，所述碲酸铵、亚碲酸钾的质量比例为1：1。