[发明专利]一种动态卡控的芯片差分单元测试方法及装置在审
| 申请号: | 202210784901.9 | 申请日: | 2022-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN115116528A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 秦佳敏;周川淼 | 申请(专利权)人: | 普冉半导体(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/50;G01R31/303;G01R19/00 |
| 代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 童素珠 |
| 地址: | 201210 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 动态 芯片 单元测试 方法 装置 | ||
本发明涉及半导体晶圆测试领域,提供了一种动态卡控的芯片差分单元测试方法,包括:设置三个测试档位;以所述三个测试档位进行卡控,对待测芯片差分单元进行测试,以获得每个所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值;将所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值,与基准真值表进行比较,以获取所述待测芯片差分单元的测试结果。本发明通过设置档位进行动态卡控,以及设置真值表进行自动校验,实现对芯片差分单元的测试,防止过杀良品芯片差分单元。
技术领域
本发明涉及半导体晶圆测试领域,尤指一种动态卡控的芯片差分单元测试方法及装置。
背景技术
为了保证eeprom存储器的正常工作,测试工作是必不可少的。在测试过程中,常见单元(cell)的Pass与Fail的情况是单边的,对应的档位分布也是单边的。但是,差分cell的产品,会存在一种特殊情况,高低档位下会fail,中间档位下会pass,一颗die只要保证有4档的窗口,那就是良品。现有的测试用传统的只卡单个档位的形式,会造成严重的过杀,此卡单个档位的测试方案将不适用。对此,需要一种专门的测试方案,防止过杀,造成不必要的良率损失。
发明内容
本发明的目的是提供一种动态卡控的芯片差分单元测试方法及装置,通过本方案可以解决上述问题。
本发明提供的技术方案如下:
一种动态卡控的芯片差分单元测试方法,包括:
设置三个测试档位;
以所述三个测试档位进行卡控,对待测芯片差分单元进行测试,以获得每个所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值;
将所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值,与基准真值表进行比较,以获取所述待测芯片差分单元的测试结果。
在一些实施例中,在所述以所述三个测试档位进行卡控,对待测芯片差分单元进行测试,以获得每个所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值之前,还包括:
根据历史芯片差分单元的历史测试数据,建立基准真值表。
在一些实施例中,所述以所述三个测试档位进行卡控,对待测芯片差分单元进行测试,以获得每个所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值,包括:
在每个档位对所述待测芯片差分单元进行读写测试,并获取所述待测芯片差分单元在每次读写测试后的电压和电流对应的数值。
在一些实施例中,所述将所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值,与所述基准真值表进行比较,以获取所述待测芯片差分单元的测试结果,包括:
所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值为二进制值,将所述二进制值与所述基准真值表的数组进行比较;
当所述二进制值存在于所述基准真值表时,确定所述测试结果为通过。
在一些实施例中,在所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值为二进制值,将所述二进制值与所述基准真值表的数组进行比较之后,还包括:
当所述二进制值不存在于所述基准真值表时,确定所述测试结果为不通过。
一种动态卡控的芯片差分单元测试装置,包括:
设置模块,用于设置三个测试档位;
测试模块,用于以所述三个测试档位进行卡控,对待测芯片差分单元进行测试,以获得每个所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值;
获取模块,用于将所述待测芯片差分单元的电压和电流对应的数值,与基准真值表进行比较,以获取所述待测芯片差分单元的测试结果。
在一些实施例中,还包括:建立模块,用于:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普冉半导体(上海)股份有限公司,未经普冉半导体(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210784901.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车电池散热装置
- 下一篇:分栅式闪存的制造方法





