[发明专利]一种基于吸波屏蔽结构的射频微系统在审
| 申请号： | 202210779722.6 | 申请日： | 2022-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN115295508A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 安慧林;李君;元健;杨成林;周云燕;张文雯 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 屏蔽 结构 射频 系统 | ||
1.一种基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，包括：
辐射源，其被配置为产生电磁辐射；以及
吸波屏蔽结构，其被配置为吸收和屏蔽所述辐射源产生的电磁辐射，其中所述吸波屏蔽结构包括：
电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射；
谐振腔，其被配置为吸收电磁辐射；
共形屏蔽层，其被配置为屏蔽电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述共形屏蔽层布置在所述射频微系统的顶部和侧面，所述电磁超材料层和所述谐振腔位于所述射频微系统的顶部。
3.根据权利要求2所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述谐振腔包括：
介质层；
谐振金属单元，其布置在所述介质层的第一侧；
部分共形屏蔽层，其布置在介质层的第二侧；以及
金属柱，其贯穿所述介质层，并与所述谐振金属单元和所述共形屏蔽层连接。
4.根据权利要求3所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述电磁超材料层包括：
介质层；
电磁超材料单元，其布置在所述介质层的第一侧；以及
部分共形屏蔽层，其布置在介质层的第二侧。
5.根据权利要求3所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述谐振金属单元包含多个金属片，且每个金属片与一个金属柱连接。
6.根据权利要求4所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，在多个所述金属片组成的谐振金属单元的中部空白区域布置有多个电磁超材料单元。
7.根据权利要求4所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述谐振金属单元和所述电磁超材料单元通过金属重布线工艺制作形成。
8.根据权利要求1所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，还包括：
塑封层，其塑封所述辐射源；
金属互连结构，其与所述辐射源电连接，且与所述共形屏蔽层电连接；以及
焊球，其与所述金属互连结构电连接。
9.根据权利要求8所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述电磁超材料层和所述谐振腔位于所述塑封层之上。
10.根据权利要求1所述的基于吸波屏蔽结构的射频微系统，其特征在于，所述辐射源包括芯片。
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