[发明专利]一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法

说明书

本发明公开了一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法，其选择海拔大于1000米且小于等于1500m，春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地；并在大棚两侧设置防虫网和薄膜，控制高温和越冬管理过程，使霍山石斛在高海拔地区进行了种植，且病虫害发生率低，无化学农药肥料，有机种植，安全，高海拔种植，昼夜温差大，霍山石斛抗逆性强，产品品质好。

技术领域

本发明涉及种植技术领域，具体涉及一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法。

背景技术

霍山石斛具有清音明目、养胃清热、增强免疫和抗御肿瘤的功效。随着霍山石斛需求量的增大和野生资源的减少，人工种植霍山石斛产业迅速发展，种植规模日益扩大，但是霍山石斛对生长环境要求极高，地方标准上显示，霍山石斛最佳种植海拔区间在300-900m，基本没有超过900m，大多数在海拔600m以下，在这种人工控制的温湿度、光照条件下，其病虫害发生率高，导致农残也高，同时昼夜温差较低，种植的霍山石斛品质欠佳。公开号为CN105612989A的中国专利申请文献中公开了一种高海拔种植霍山石斛的方法，其选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600-800m作为种植场地，充分利用高海拔地区的林地，但是其海拔仅为600-800m，昼夜温差仍不是很大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种高海拔种植霍山石斛的方法。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题：

一种高海拔规范化有机种植霍山石斛的方法，包括以下步骤：

A、海拔及位置选择

选择海拔大于1000米且小于等于1500m，春季、夏季和秋季日照时间均不低于8小时的区域作为种植地；

B、基础设施建设

(1)整地建棚：对选择的种植地进行整理，并在整理后的种植地上搭建大棚，并在相邻两大棚间开挖排水沟；其中，所述大棚的两肩部分别设有纵向的腰部卡槽，所述腰部卡槽正下方设有纵向的底部卡槽，在大棚两腰部卡槽以上的顶部范围内覆盖薄膜；在所述腰部卡槽与所述底部卡槽之间安装防虫网，在所述防虫网外覆盖一层薄膜一直延伸到大棚底部，所述薄膜下端安装卷膜器，能将薄膜卷起卡到腰部卡槽位置进行通风，需要保温时放到大棚底部；

(2)喷灌安装：在大棚纵梁下方纵向安装支撑件，使所述支撑件的高度与所述腰部卡槽的高度一致；在所述支撑件上安装微喷吊喷；

(3)铺设园艺地布：在地面上全棚铺设园艺地布；

(4)苗床搭建：沿大棚纵向方向，在所述微喷吊喷的正下方搭建苗床；

(5)基质铺设：先铺设一层铺设厚度为5cm、直径不超过5cm的松树皮或树心碎块，再铺设一层铺设厚度为5cm的树心锯末或直径不超过2cm的松树皮；

C、栽种

种植时间为3-6月；在3月份种植时，在棚内支撑件上方全棚拉上拉毛布，下午5点后放下大棚两边的薄膜进行保温，早上棚内气温超过28摄氏度时拉开两边的薄膜进行透风；栽种时4-6株种苗为一丛，按照行间距10cm×10cm间距进行种植；

D、日常养护

(1)浇水：在春季发芽的季节，每天对叶面进行多次喷雾补水，每次喷雾补水的时间不超过2min；当基质上面3cm深处湿度下降至60％以下时浇透水；在夏季时，每次浇水截止时间不超过上午11点；

(2)施肥：在栽种后的第2个月，采用发酵后的羊粪作为肥料，按每亩苗床100kg/次施加；栽种后的第二年开始每年按每亩苗床20-30kg/次的量施加三次发酵菜籽粕，其中施加时间分别为3月、6月、10月；

(3)除草：采用人工除草的方式；

E、高温及越冬管理