[发明专利]硅通孔的处理方法、处理装置、电子设备及存储介质

说明书

本发明公开了一种硅通孔的处理方法、处理装置、电子设备及存储介质，其中处理方法包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有硅通孔；将所述晶圆置于处理腔，向所述处理腔内通入氟化氙气体，并在所述处理腔内的氟化氙气体压力达到设定压力后保持设定时间段。上述方法能够极大幅度缩短硅通孔侧壁扇贝纹的修复时间并显著降低修复成本。

技术领域

本申请涉及微机电系统技术领域，尤其涉及一种硅通孔的处理方法、处理装置、电子设备及存储介质。

背景技术

随着半导体技术的发展，其线宽尺寸越来越小，但其缩小到一定尺寸的时候存在着物理定律的极限，同样摩尔定律面领着终结，为了在固定尺寸上承载更多的晶体管或者其他器件电路，或者将不同功能的器件集成在一起，其形态发展势必像三维结构进发。在此背景下硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术应运而生，其在线路连接上较传统的打线方法大大的缩短了连线路径，并且可以融合半导体制程工艺。其中硅通孔的刻蚀工艺是硅通孔技术中最重要的技术之一。

目前一种主流的硅通孔刻蚀技术为BOSCH工艺，该方法是用SF6作为蚀刻剂进行硅刻蚀，刻蚀一定时间后用C4F8对侧壁进行钝化，这样交替多次刻蚀和钝化，能够实现侧壁陡峭、横向刻蚀极小的硅通孔，实现高深宽比的硅通孔结构。但由于刻蚀和钝化的交替进行，不可避免地会在硅通孔的内壁形成扇贝纹。较大尺寸的扇贝纹不利于后续的硅通孔种子层沉积和电镀工艺进行。所以扇贝纹的修复技术是一项非常重要的技术。

目前一种常用的扇贝纹修复技术是先对硅片进行热氧化生成氧化硅，然后使用氢氟酸将氧化硅清洗去除。然而，热氧化和氢氟酸去除需要多个工艺循环才能得到比较平滑的硅通孔侧壁，因此这种方法存在用时较长、成本昂贵的问题。

发明内容

本发明提供了一种硅通孔的处理方法、处理装置、电子设备及存储介质，以解决或者部分解决目前对硅通孔侧壁扇贝纹的修复方法存在时间长、成本高的技术问题。

为解决上述技术问题，根据本发明实施例提供了一种硅通孔的处理方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆上形成有硅通孔；

将所述晶圆置于处理腔，向所述处理腔内通入氟化氙气体，并在所述处理腔内的氟化氙气体压力达到设定压力后保持设定时间段。

可选的，所述设定压力不超过5托。

可选的，所述设定压力为2托。

可选的，所述设定时间段的取值范围为2～4分钟。

可选的，在所述将所述晶圆置于处理腔之前，对所述处理腔抽真空。

可选的，在所述将所述晶圆置于真空腔体之前，所述处理方法还包括：

清理所述硅通孔侧壁上的钝化聚合物，获得清理后的晶圆；

所述将所述晶圆置于处理腔，包括：

将所述清理后的晶圆置于所述处理腔。

基于相同的发明构思，根据本发明实施例提供了一种硅通孔的处理装置，包括：

提供模块，用于提供晶圆，所述晶圆上形成有硅通孔；

处理模块，用于将所述晶圆置于处理腔，向所述处理腔内通入氟化氙气体，并在所述处理腔内的氟化氙气体压力达到设定压力后保持设定时间段。

可选的，所述处理装置还包括清理模块，所述清理模块用于：

清理所述硅通孔侧壁上的钝化聚合物，获得清理后的晶圆。

基于相同的发明构思，根据本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现前述技术方案中的任一项所述处理方法的步骤。