[发明专利]一种仅由VC型局部有源忆阻器构成的振荡电路在审
| 申请号： | 202210773403.4 | 申请日： | 2022-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN115310393A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王世场;方志远;梁燕;卢振洲 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vc 局部 有源 忆阻器 构成 振荡 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种仅由VC型局部有源忆阻器构成的振荡电路，其特征在于，包括VC型局部有源忆阻器VC LAM1、VC型局部有源忆阻器VC LAM2和一个直流电压源VD，所述直流电压源VD的负极接地，所述直流电压源VD的正极与VC型局部有源忆阻器VC LAM1正极相连接，所述VC型局部有源忆阻器VC LAM1的负极与VC型局部有源忆阻器VC LAM2正极相连接，所述VC型局部有源忆阻器VC LAM2的负极接地，
两个所述VC型局部有源忆阻器数学模型为：
其中i,v,x分别为流经VC型局部有源忆阻器的电流、VC型局部有源忆阻器两端的电压和VC型局部有源忆阻器的状态变量，d1，d0，τ，α都为常数。
2.根据权利要求1所述的仅由VC型局部有源忆阻器构成的振荡电路，其特征在于，两个所述VC型局部有源忆阻器的数学模型参数分别为d1＝10-5，τ1＝10-5，α1＝9.0，d0＝24×d1和d1′＝10-6，τ2＝10-3，α2＝4.5，d0′＝6×d1′。
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