[发明专利]可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体、制备方法及陶瓷涂层修补方法

权利要求书

1.可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体，其特征在于，结构式如下：

其中：

R1为乙烯基、乙炔基或烯丙基；

R2为甲基丙烯酰氧基或乙基丙烯酰氧基；

x、y、z均为正整数，且均≥1。

2.根据权利要求1所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体，其特征在于，所述陶瓷前驱体的粘度范围为500cP～3000cP。

3.权利要求1所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，包括：

将碱金属、氯甲基三乙氧基硅烷加入四氢呋喃溶液中形成混合溶液，再将氯代硅烷滴入所述混合溶液中进行重排反应，得到第一反应中间体；

在所述第一反应中间体中加入卤化丙烯酸酯和催化剂，过滤后得到第二反应中间体；

在所述第二反应中间体中加入乙烯基溴化镁得到第三反应中间体；

在所述第三反应中间体中加入氢化铝锂进行还原反应，后经酸洗、水洗，最后通过旋蒸除去多余溶剂，得到可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体。

4.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述氯代硅烷为氯甲基甲基二氯硅烷、氯甲基三氯硅烷或氯甲基二甲基氯硅烷。

5.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述卤化丙烯酸酯为丙烯酸溴乙酯、丙烯酸氯丁酯或对氯苯丙烯酸甲酯。

6.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述催化剂为N,N二乙基羟胺DEHA、四丁基氟化胺TBAF或氢氧化钠。

7.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于：

所述碱金属、氯代硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、卤化丙烯酸酯、乙烯基溴化镁和氢化铝锂的摩尔比为1:(1～5):(0.1～0.5):(0.1～0.5):(0.4～5):(1-10)。

8.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述重排反应的反应温度为50-70℃；反应时间为6-12h。

9.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述第一反应中间体中加入卤化丙烯酸酯和催化剂，反应温度为35-70℃，反应时间为10-30h；

所述第二反应中间体加入乙烯基溴化镁，反应温度为30-70℃，反应时间为2-12h；

所述还原的反应温度为55-65℃，反应时间为15-25h。

10.根据权利要求3所述的可紫外光固化的SiC陶瓷前驱体的制备方法，其特征在于，所述可紫外光固化的SiC前驱体中，乙烯基与丙烯酰氧基的摩尔比为：1:0.1～0.25。

11.一种陶瓷涂层修补方法，其特征在于，将权利要求1所述的SiC陶瓷前驱体与引发剂、交联剂混合得到混合溶液，将所述混合溶液刷涂在陶瓷基体的涂层脱落位置，在紫外光作用下固化成型得到膜层，经高温裂解，得到SiC陶瓷涂层，完成修补。

12.根据权利要求11所述的陶瓷涂层修补方法，其特征在于，所述引发剂为2-羟基-2-甲基-1苯基-1-丙酮1173或二苯甲酮或1-羟基-环乙基-苯基甲酮184中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的陶瓷涂层修补方法，其特征在于，所述交联剂为过氧化环己酮-环烷酸钴、二乙烯基苯或过氧化二异丙苯中的至少一种。

14.根据权利要求11所述的陶瓷涂层修补方法，其特征在于，所述SiC陶瓷前驱体、引发剂、交联剂的质量比为1:(0.01-0.1):(0.001-0.01)。

15.根据权利要求11所述的陶瓷涂层修补方法，其特征在于，所述高温裂解的温度为800-1100℃。