[发明专利]一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

1)提供第一衬底，在所述第一衬底上生长压电薄膜；

2)在所述压电薄膜表面形成第一电极，并图形化所述第一电极和所述压电薄膜；

3)旋涂第一聚合物层，所述聚合物层覆盖所述第一电极和所述压电薄膜；

4)利用光刻工艺图形化所述第一聚合物层，以在所述第一聚合物层中形成暴露所述第一电极的第一开口；

5)提供第二衬底，所述第二衬底表面具有第二聚合物层；

6)将所述第一聚合物层和所述第二聚合物层键合固定，并去除所述第一衬底，所述第一开口形成空腔结构；

7)在所述压电薄膜远离所述第一电极的表面形成介质层，图形化所述介质层形成暴露所述压电薄膜的第二开口，所述第二开口在竖直方向的投影落入空腔结构内；

8)在所述第二开口和所述介质层表面形成第二电极，并制作所述第一电极和所述第二电极的电极引出结构。

2.根据权利要求1所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述第一聚合物层的材料包括PI、BCB、PBO中的一种，所述第一聚合物层的厚度介于0.5um～10um之间。

3.根据权利要求1所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，利用光刻工艺图形化所述第一聚合物层后还包括对所述第一聚合物层进行固化的步骤，所述固化的时间介于1小时～24小时之间，所述固化的温度介于100℃～400℃之间。

4.根据权利要求1所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中，所述第一开口仅暴露出所述第一电极的非电极引出区域，所述第一电极的电极引出区域由所述第一聚合物层覆盖。

5.根据权利要求1所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述第二聚合物层的材料包括PI、BCB、PBO中的一种，所述第二聚合物层的厚度介于0.1um～2um之间。

6.根据权利要求1所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤8)中，制作所述第一电极和所述第二电极的电极引出结构的步骤包括：

形成贯通所述介质层、所述压电薄膜且暴露出所述第一电极表面的通孔，在所述通孔中沉积与所述第一电极连通的第一电极引出结构；

形成与所述第二电极连通的第二电极引出结构。

7.一种空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器至少包括：

第二衬底，所述第二衬底表面具有第二聚合物层；

压电薄膜，位于所述第二聚合物层上方；

具有第一开口的第一聚合物层，位于所述第二聚合物层和所述压电薄膜之间，所述第一聚合物层、所述压电薄膜以及所述第二聚合物层包围第一开口形成空腔结构；

第一电极，位于靠近所述空腔结构的所述压电薄膜的表面；

介质层，形成于远离所述空腔结构的所述压电薄膜表面的电极引出区域；

第二开口，形成于远离所述空腔结构的所述压电薄膜表面

第二电极，形成于所述第二开口和所述介质层表面；

电极引出结构，用于分别引出所述第一电极和所述第二电极。

8.根据权利要求7所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一聚合物层的材料包括PI、BCB、PBO中的一种，所述第一聚合物层的厚度介于0.5um～10um之间。

9.根据权利要求7所述的空气隙型单晶压电薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第二聚合物层的材料包括PI、BCB、PBO中的一种，所述第二聚合物层的厚度介于0.1um～2um之间。