[发明专利]芯片检测方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种芯片检测方法，其特征在于，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述方法包括：

检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数；

根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：

根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值；

根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测特性数据包括I-V特性数据和上电特性数据中的至少一者；所述I-V特性数据用于表征，待测芯片加载不同输入电压的过程中，通过所述上拉电阻的电流和所述电源接口输出的第一电压之间的对应关系；所述上电特性数据用于表征，所述电源接口输出固定的第一电压时，所述芯片接口输出稳定电压的稳定时间和稳定电压之间的对应关系。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，检测所述单片机向所述预设检测电路供电过程中，所述待测芯片所呈现的待测特性数据；所述待测特性数据至少包括两组电压相关的特性参数，包括：

在所述单片机向所述预设检测电路提供不同电压过程中，检测不同供电电压对应的第一电压值和通过所述上拉电阻的电流值；

将检测的所有第一电压值和对应的电流值记作待测I-V特性数据，将所述待测I-V特性数据确定为待测特性数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述待测特性数据和预设基准芯片的对应特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：

根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值；

根据所述I-V特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述待测I-V特性数据和预设基准芯片的I-V特性数据，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的I-V特性数据差值，包括：

基于所述I-V特性数据确定所述第一电压的待测I-V特性曲线；

根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据所述待测I-V特性曲线和预设基准芯片的基准I-V特性曲线，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值，包括：

根据各第一电压值对应待测I-V特性曲线的待测电流值和基准I-V特性曲线的基准电流值之间的差值绝对值，确定差值曲线；

将所述差值曲线的积分结果，确定为所述待测芯片和所述预设基准芯片的特性数据差值。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述特性数据差值，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片是否具有相同的特性，包括：

确定所述特性数据差值是否小于或等于第一预设阈值；

若是，则确定所述待测芯片和所述预设基准芯片具有相同的特性；若否，确定所述待测芯片和所述预设基准芯片不具有相同的特性。