[发明专利]基准电压的校准方法、装置及存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种基准电压的校准方法、装置及存储介质，涉及芯片校准领域。校准方法包括：获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；获取待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；计算步长值；获取待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；判断第三基准电压值是否位于预设电压值范围内；若为是，判断第三基准电压值是否大于目标基准电压值；若为是，将trim_coarse‑1作为目标trim值。本申请可以减少校准次数，提高校准效率。

技术领域

本申请涉及芯片校准领域，尤其涉及一种基准电压的校准方法、装置及存储介质。

背景技术

现有技术中在芯片样片流片回来后，实验室阶段对芯片相关功能进行测试前最重要的一步就是对芯片时钟进行校准。芯片在生产过程中，由于设备、工艺等问题，出厂后的芯片的实际基准电压与设定的目标基准电压存在一定偏差。

为了使芯片可以正常工作，则必须对芯片的基准电压进行校准，现有技术中在芯片设计之初就会在芯片内部预留有trim寄存器，用于实现对基准电压的校准，现有技术中在对芯片的基准电压进行校准时，采用递增法或二分法校准基准电压，需要执行较多的次数才能完成校准，这种校准方式的效率比较低，尤其是在trim寄存器的最大trim值较大的情况下，校准次数会快速增加。

发明内容

本申请实施例提供了基准电压的校准方法、装置、及存储介质，可以解决现有技术中基准电压的校准效率较低的问题。所述技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种基准电压的校准方法，所述方法包括：

获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；

获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；

计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；

获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；

判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；

若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；

若为是，将trim_coarse-1作为目标trim值。

第二方面，本申请实施例提供了一种基准电压的校准装置，所述装置包括：

获取单元，用于获取待校准芯片基于trim_mid调整后的第一基准电压值；其中，tirm_mid为trim寄存器的最大trim值的一半；

所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_mid+1调整后的第二基准电压值；

计算单元，用于计算步长值；其中，LSB＝VREF2-VREF1，LSB为所述步长值，VREF1为所述第一基准电压值，VREF2为所述第二基准电压值；

所述获取单元，还用于获取所述待校准芯片基于trim_coarse调整后的第三基准电压值；其中，trim_coarse＝(VREF_target-VREF1)/LSB+trim_mid，所述VREF_target为所述待校准芯片的目标基准电压值；

判断单元，用于判断所述第三基准电压值是否位于VREF_target±LSB的范围内；

所述判断单元，还用于若为是，判断所述第三基准电压值是否大于VREF_target；