[发明专利]一种低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 202210759526.2 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114890467B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 孙玉春;周永胜;王勇;陈虎;李伟伟;张耀鹏;沈妍汝;翟文茹 | 申请（专利权）人： | 北京大学口腔医学院 |
| 主分类号： | C01G25/02 | 分类号： | C01G25/02;C04B35/48 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 刘晓静 |
| 地址： | 100191 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结晶度 稳定 立方 氧化锆 及其 制备 方法 | ||
1.一种低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将氧氯化锆和氯化钇粉体溶于水，得到溶液A，其中溶液A中Zr4+浓度＞0.2mol/L；
(2)将溶液A加热后，加入氨水进行反应，当溶液A的pH值为9～10时，停止加氨水，得到浆料B；
(3)在浆料B中加水，控制Zr4+的浓度为0.2mol/L后进行水热反应生成低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体；
所述步骤(1)中氧氯化锆与氯化钇的质量比为24～27:1；
所述步骤(2)中溶液A加热后的温度为60～80℃；
所述步骤(3)中水热反应的温度为190～210℃，水热反应的时间为44～52h。
2.根据权利要求1所述一种低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体的制备方法，其特征在于，所述溶液A中Zr4+浓度为0.3mol/L。
3.根据权利要求1所述一种低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中对水热反应的产物顺次分散、干燥，所述分散的时间为10～20min。
4.根据权利要求3所述一种低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体的制备方法，所述干燥的温度为40～80℃，干燥的时间为10～14h。
5.一种权利要求1～4任意一项所述的制备方法制备得到的低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体，其特征在于，所述氧化锆粉体由氧化锆和氧化钇组成，其中氧化钇与氧化锆的摩尔比为3:97，所述低结晶度钇稳定立方相氧化锆粉体的晶相结构为立方相，且立方相的结晶度为15～30％。
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