[发明专利]发光元件、包括其的显示装置以及发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202210748077.1 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115734662A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 金炯硕;金诗圣;李种琎;李东彦 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H10K59/122 | 分类号： | H10K59/122;H10K59/123;H10K59/124;H10K59/131 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 包括 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种发光元件，包括：
第一半导体层；
发射层，设置在所述第一半导体层上；
第二半导体层，设置在所述发射层上；
电极层，设置在所述第二半导体层上；以及
绝缘膜，围绕所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层的侧表面，并且在所述发光元件的其上设置有所述电极层的端部处围绕所述电极层的一部分，
所述电极层包括：
第一表面，与所述第二半导体层相邻；
第二表面，面对所述第一表面并且具有比所述第一表面的宽度小的宽度；以及
侧表面，连接所述第一表面和所述第二表面，并且具有与相对于所述电极层的所述第一表面在75°至90°的范围内的角度对应的斜率。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜完全围绕所述发射层和所述第二半导体层的所述侧表面。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述电极层在所述电极层的所述第一表面上直接电接触所述第二半导体层。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，
所述绝缘膜围绕所述电极层的所述侧表面的设置在所述电极层的所述第一表面周围的一部分，并且暴露所述电极层的所述第二表面和所述电极层的所述侧表面的剩余部分。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜暴露所述第一半导体层的下表面。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有均匀的厚度。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在围绕所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层的部分中具有与所述第一半导体层、所述发射层和所述第二半导体层中的每个的所述侧表面的形状对应的表面轮廓。
8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有与所述电极层的所述侧表面的形状对应的表面轮廓。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有逐渐变化的厚度。
10.根据权利要求9所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在所述发光元件的所述端部处具有随着接近所述发射层而增加的所述厚度。
11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一半导体层包括与所述发射层相邻的第一部分和除所述第一部分之外的第二部分，以及
所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，在所述绝缘膜中，围绕所述第一半导体层的所述第二部分的部分的厚度大于围绕所述第一半导体层的所述第一部分的部分的厚度。
13.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述绝缘膜在与所述电极层的所述第一表面对应的部分处具有10nm或更大的厚度。
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