[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底，以及设置在硅基底向光面的低吸收系数层；低吸收系数层与所述硅基底的向光面具有相同的导电类型；在小于或等于400nm的波段内，低吸收系数层的吸收系数，小于硅基底的吸收系数；低吸收系数层的厚度x为15‑200nm；低吸收系数层与硅基底直接接触。低吸收系数层与硅基底的向光面具有相同的导电类型，利于少数载流子的传输。低吸收系数层会将小于或等于400nm的波段内的一部分光吸收，硅基底吸收的小于或等于400nm的波段内的光减少了，可以减少硅基底向光面中非平衡载流子的浓度。低吸收系数层充分吸收小于或等于400nm的波段内的光。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

太阳能电池是将光能直接转换为电能输出的发电方式，其作为清洁能源，具有广阔的应用前景。

目前，太阳能电池均存在短波响应差的问题，短波响应差会导致太阳能电池的光电转换效率降低。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，旨在解决太阳能电池存在短波响应差的问题。

本发明的第一方面，提供一种太阳能电池，包括：

硅基底，以及设置在所述硅基底向光面的低吸收系数层；

所述低吸收系数层与所述硅基底的向光面具有相同的导电类型；

在小于或等于400nm的波段内，所述低吸收系数层的吸收系数，小于所述硅基底的吸收系数；

所述低吸收系数层的厚度x为15-200nm；所述厚度所在的方向与所述硅基底和所述低吸收系数层的设置方向平行；

所述低吸收系数层与所述硅基底直接接触。

本发明实施例中，低吸收系数层与硅基底的向光面具有相同的导电类型，利于少数载流子的传输，使得硅基底向光面中非平衡少数载流子可以有效地被传导和收集，利于降低硅基底向光面中非平衡载流子的浓度，利于降低硅基底的向光面的复合，可以提升太阳能电池的光电转换效率。低吸收系数层与硅基底直接接触，且在小于或等于400nm的波段内，低吸收系数层的吸收系数，小于硅基底的吸收系数，低吸收系数层会将小于或等于400nm的波段内的一部分光吸收，由硅基底吸收的小于或等于400nm的波段内的光减少了，则，可以减少硅基底向光面中非平衡载流子的浓度，利于降低硅基底1的向光面的复合。而且，低吸收系数层的厚度x为15-200nm，低吸收系数层的厚度不止过薄，可以充分吸收小于或等于400nm的波段内的光，低吸收系数层的厚度也不止过厚，低吸收系数层的中的少数载流子的浓度不止过低，硅基底中的少数载流子不会注入低吸收系数层，利于硅基底向光面中非平衡少数载流子的传输，使得硅基底向光面中非平衡少数载流子可以有效地被传导和收集，利于降低硅基底向光面中非平衡载流子的浓度，利于降低硅基底的向光面的复合，可以提升太阳能电池的光电转换效率。

可选的，所述低吸收系数层的带隙，大于或等于所述硅基底的带隙。

可选的，所述低吸收系数层的厚度x为20-100nm。

可选的，所述低吸收系数层的厚度其中，κ_min为所述低吸收系数层在200-400nm波段的最小消光系数。

可选的，在300-400nm的波段内，所述低吸收系数层的消光系数大于或等于0.1，小于或等于2。

可选的，在300-400nm的波段内，所述低吸收系数层的积分平均消光系数大于或等于0.1，小于或等于2。

可选的，所述低吸收系数层的材料选自：碳化硼、氧化锌、磷化镓、磷化铟、硫化镉、硫化锌、硒化砷、硒化镉、硒化锌中的至少一种。