[发明专利]存储单元的检测方法及设备

说明书

本公开实施例提供一种存储单元的检测方法及设备，该方法包括：对存储单元写入第一数据；控制晶体管导通第一时长，以在存储单元的第一极板和存储单元的位线之间进行电荷共享，第一时长小于或等于预设阈值；对存储单元进行数据读取，以获取电荷共享后第一极板的电压对应的第二数据；根据第一数据和所述第二数据，确定存储电容是否失效。本公开实施例通过减小电荷共享的第一时长，以制造更多的读取错误，从而可以检测出来更多失效的存储电容。这样，就可以将漏电更小的离群存储电容检测出来。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储单元的检测方法及设备。

背景技术

DRAM(dynamic random access memory，动态随机存储器)是一种内部存储器，包括一个或多个存储阵列，每个存储阵列由M×N个的存储单元组成，每个存储单元可以存储一位数据。存储单元通过存储电容进行电荷的存储，电荷的存储量可以表示存储的数据的大小。

但是，存储电容存储的电量会随着时间的推移而变化，该过程称为漏电。在漏电程度较大时，会导致存储的数据发生变化，也就是说该存储单元失效。基于此，如何准确的检测出失效的存储单元的存储电容是亟待解决的技术问题。

发明内容

本公开实施例提供一种存储单元的检测方法及设备，以检测存储单元的存储电容是否失效。

第一方面，本公开实施例提供一种存储单元的检测方法，所述方法包括：

所述存储单元包括晶体管和存储电容，所述方法包括：

对所述存储单元写入第一数据；

控制所述晶体管导通第一时长，以在所述存储单元的第一极板和所述存储单元的位线之间进行电荷共享，所述第一时长小于或等于预设阈值；

对所述存储单元进行数据读取，以获取所述电荷共享后所述第一极板的电压对应的第二数据；

根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效。

在一些实施例中，所述对所述存储单元写入第一数据之前，还包括：

对所述存储电容的第二极板施加电压，以使所述第一极板和所述第二极板形成压差，所述压差是使所述存储电容的极板产生漏电的条件。

在一些实施例中，所述根据所述第一数据和所述第二数据，确定所述存储电容是否失效，包括：

若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效；

若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效。

在一些实施例中，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：

当所述第一数据为低电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第一电压，所述第一电压大于预设电压阈值。

在一些实施例中，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：

若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述第二极板未失效；

所述若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述存储电容失效，包括：

若所述第一数据和所述第二数据不一致，则确定所述第二极板失效。

在一些实施例中，所述对所述存储电容的第二极板施加电压，包括：

当所述第一数据为高电平数据时，对所述存储电容的第二极板施加第二电压，所述第二电压小于预设电压阈值。

在一些实施例中，所述若所述第一数据和所述第二数据一致，则确定所述存储电容未失效，包括：