[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202210735279.2 | 申请日: | 2022-06-27 |
公开(公告)号: | CN115172419A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 侯鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括第一显示区和第二显示区;
驱动电路层,设置于所述衬底基板上;
发光器件,设置于所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧;
封装层,设置于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧;
第一遮光图形,设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,且设置于所述第一显示区内,所述第一遮光图形限定出多个第一开口区;
彩膜层,设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,所述彩膜层包括:设置于所述第一显示区的第一彩膜图形和设置于所述第二显示区的第二彩膜图形,所述第一彩膜图形设置于所述第一开口区,所述第二彩膜图形的厚度大于所述第一彩膜图形的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述第一彩膜图形的厚度范围为1-6μm;
所述第二彩膜图形的厚度范围为2-7μm。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
透明层,设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,且设置于所述第二显示区内,所述透明层限定出多个第二开口区,所述第二彩膜图形设置于所述第二开口区;
所述透明层的折射率小于所述第二彩膜图形的折射率。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第二彩膜图形的折射率范围为1.6-2.2;
所述透明层的折射率范围为1-1.5。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述透明层的厚度大于所述第一遮光图形的厚度;
所述透明层的厚度范围为2-6μm;
所述第一遮光图形的厚度范围为1-2μm。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
触控走线,设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,所述触控走线包括设置于所述第一显示区的第一触控走线和设置于所述第二显示区的第二触控走线,相同的面积内,所述第二触控走线的长度小于所述第一触控走线的长度。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述第一触控走线围绕所述第一彩膜图形的四周设置,在所述第一显示区形成金属网格状;
所述第二触控走线沿着所述第二彩膜图形的边界延伸,部分所述第二彩膜图形的部分边界在所述衬底基板上的正投影位于所述第二触控走线在所述衬底基板上的正投影区域内。
8.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括:像素界定层,所述像素界定层限定出多个第三开口区;
所述发光器件包括:阳极、发光层和阴极;所述阳极包括第一阳极部分和第二阳极部分,所述第一阳极部分位于所述第三开口区,所述第二阳极部分被所述像素界定层覆盖;
所述第二触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极部分在所述衬底基板上的正投影区域内;
或者
所述第二触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影区域内,且所述第二触控走线的一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极部分在所述衬底基板上的正投影区域内;
或者
所述第二触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影区域内,且所述第二触控走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二阳极部分在所述衬底基板上的正投影不重叠。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第二遮光图形,设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧,且设置于所述第二显示区内,至少部分所述第二遮光图形围绕所述第二彩膜图形设置,围绕所述第二彩膜图形设置的第二遮光图形呈回字状,所述第二彩膜图形的边界在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光图形在所述衬底基板上的正投影区域内。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板以及位于所述显示面板一侧摄像头,所述摄像头的设置位置与所述显示面板的衬底基板上的第二显示区对应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的