[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法在审
申请号: | 202210725904.5 | 申请日: | 2022-06-23 |
公开(公告)号: | CN115513032A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 金光烈;朴正薰;金润相 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 韩国忠清南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,所述基板处理装置包括:
腔室,所述腔室设置有处理空间;
基板支承单元,所述基板支承单元设置在所述处理空间中;
窗口,所述窗口设置在所述腔室的顶部处;以及
光学模块,所述光学模块设置在所述窗口的上方、且配置为通过所述窗口将激光光束传输到基板,并且
其中,所述光学模块包括:
均化光学器件,所述均化光学器件配置为将所述激光光束均化成均匀的光束分布;以及
成像光学器件,所述成像光学器件配置为控制所述激光光束的大小。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,所述基板处理装置还包括:
透明电极,所述透明电极设置在所述激光光束的光路处;以及
底部电极,所述底部电极定位在所述基板的下方。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述透明电极在所述窗口上。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,所述基板处理装置还包括高频电源,所述高频电源连接到所述透明电极或所述底部电极、或所述透明电极和所述底部电极两者。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述透明电极包括选自由以下构成的组的至少一个:铟锡氧化物ITO、AZO、FTO、ATO、SnO2、ZnO、IrO2、RuO2、石墨烯、金属纳米线、CNT、以及它们的任何组合、和它们的任何混合物。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述透明电极设置为涂覆所述窗口。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述窗口包括石英材料、或由石英材料制成。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述光学模块还包括准直光学器件。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述窗口定位在来自所述光学模块的激光光束的光路处。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,所述基板处理装置还包括:
激光光束发生器,所述激光光束发生器配置为生成所述激光光束;以及
光纤,所述光纤光学地连接所述激光光束发生器和所述光学模块,并且
其中,传输至所述光学模块的激光光束为脉冲激光光束。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,所述脉冲激光光束的脉冲宽度为皮秒至纳秒。
12.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,所述脉冲激光光束的脉冲持续时间为1纳秒至100毫秒。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述激光光束被配置为将所述基板加热到500℃或更高的温度。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述激光光束被配置为将10mJ/cm2或更高的能量施用到所述基板。
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