[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：

腔室，所述腔室提供处理空间；

支承单元，所述支承单元在所述处理空间处支承基板；

气体供应单元，所述气体供应单元被配置为将气体引入到所述处理空间；

等离子体源，所述等离子体源被配置为提供用于将引入到所述处理空间的气体激发成等离子体的能量；

排放单元，所述排放单元被配置为将所述处理空间内的气氛排放到所述处理空间的外侧；以及

加热源，所述加热源定位在所述支承单元的上方，并且

其中，所述加热源将加热能量以脉冲形式施加到所述基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，脉冲的脉冲宽度为皮秒(ps)至毫秒(ms)。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热源在10毫秒的时间内施加所述脉冲数次至数百万次。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将所述基板加热到400℃或更高。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将10mJ/cm²或更高的能量施加到所述基板。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述加热能量将10mJ/cm²至100mJ/cm²的能量施加到所述基板。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热源为闪光灯、激光光学系统或微波发生器。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述支承单元包括板，在所述板中形成有冷却流体流动所通过的流动路径。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括：

顶部电极，所述顶部电极包括传输光或微波的第一板、和堆叠在所述第一板处的透明导电膜；

底部电极，所述底部电极设置在所述基板的下方；以及

高频电源，所述高频电源将高频功率施加到所述顶部电极或所述底部电极中的至少一者，并且

其中，所述加热源设置在所述顶部电极的上方。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，并且

其中，所述控制器被配置为执行：

第一步骤，所述第一步骤为控制所述气体供应单元将第一工艺气体引入到所述处理空间，并且控制所述等离子体源将已经被引入的所述第一工艺气体激发成等离子体以处理所述基板；

第二步骤，所述第二步骤为控制所述气体供应单元将吹扫气体引入到所述处理空间，并且控制所述排放单元对所述处理空间进行排放；

第三步骤，所述第三步骤为控制所述气体供应单元将第二工艺气体引入到所述处理空间，控制所述等离子体源将已经被引入的所述第二工艺气体激发成所述等离子体，并且控制所述加热源以脉冲施加所述加热能量来处理所述基板；以及

第四步骤，所述第四步骤为控制所述气体供应单元将所述吹扫气体引入到所述处理空间，并且控制所述排放单元对所述处理空间进行排放，并且

其中，所述第一步骤至所述第四步骤被控制为依序重复多次。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述支承单元包括板，在所述板中形成有冷却流体流动所通过的流动路径，并且

其中，所述控制器被配置为在所述第三步骤控制所述冷却流体在所述板的所述流动路径处流动。