[发明专利]一体式全自动植球机在审
申请号: | 202210722313.2 | 申请日: | 2022-06-24 |
公开(公告)号: | CN115527892A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 张治强 | 申请(专利权)人: | 江苏长晟半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226000 江苏省南通市开发区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 体式 全自动 植球机 | ||
本申请涉及一种一体式全自动植球机,包括植球机本体,植球机本体包括整板进料口、整板载板平台和整板出料口,整板载板平台包括升降冶具、整板钢网和刮锡机构,其中整板钢网设置在整板载板平台中心,升降冶具设置在整板载板平台的底部,刮锡机构在整板载板平台的顶部,整板载板平台的侧面安装有刮刀驱动机构,刮刀驱动机构上安装有供球机构;升降冶具包括冶具主体和升降气缸,其中冶具主体镶嵌在传输模具中,且传输模具的两侧凹槽与植球机本体上的滑轨滑动连接,滑轨贯穿整板进料口、整板载板平台和整板出料口;整板出料口上还安装有铁板加热装置。本申请有效提高植球质量和植球效率,大大降低人工成本高。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种一体式全自动植球机。
背景技术
晶圆级植球机是一种高端半导体设备,用于将锡球精准放置于已经印刷助焊剂的晶圆上,目前晶圆级植球机使用的锡球一般在75μm-300μm范围内,其核心技术之一就是植球方式。
现有的晶圆级植球设备为了实现将锡球精确植入晶圆,基本采用手工植球的方式,如专利CN103606527A是操作工拿着塑料刮板在网板上来回几次刮球,将球刮入网孔内,网孔与晶圆上的PAD点预先对位,每个网孔落入一个锡球,通过此种手动方式将锡球植到晶圆的PAD点上,此种方式需要专业人员操作,在工厂大批量生产情况下,植球质量可能受人工操作的影响,且植球效率低,人工成本高。
发明内容
为了克服现有技术中存在的问题,本申请提供一种一体式全自动植球机。
本申请提供的一种一体式全自动植球机采用如下的技术方案:
一种一体式全自动植球机,包括植球机本体,植球机本体包括整板进料口、整板载板平台和整板出料口,整板载板平台包括升降冶具、整板钢网和刮锡机构,其中整板钢网设置在整板载板平台中心,升降冶具设置在整板载板平台的底部,刮锡机构在整板载板平台的顶部,整板载板平台的侧面安装有刮刀驱动机构,刮刀驱动机构上安装有供球机构;升降冶具包括冶具主体和升降气缸,其中冶具主体镶嵌在传输模具中,且传输模具的两侧凹槽与植球机本体上的滑轨滑动连接,滑轨贯穿整板进料口、整板载板平台和整板出料口;整板出料口上还安装有铁板加热装置。
通过采用上述技术方案,植球机中传输模具通过底部的凹槽与植球机本体上的滑轨滑动连接,传输模具在滑轨上的移动可以采用伸缩杆推动其移动的方式进行控制,传输模具能够带着装有晶圆的冶具主体从整板进料口进入,经过整板载板平台上的植球工序,再到整板出料口上的铁板加热装置对植入的锡球进行溶解冷却,最终从整板出料口导出,实现全自动的植球工艺。其中整板平台中升降冶具能够通过升降气缸将冶具主体从传输模具上升到整板钢网的底面,与整板钢网贴合,从而让升降冶具中的晶圆对于整板钢网上的网孔,通过刮刀驱动机构驱动刮锡机构对整板钢网上的锡球进行刮球,从而将锡球填充到晶圆上,而在刮刀驱动机构上的供球机构负责为刮锡机构提供锡球。
优选的,刮刀驱动机构包括架体,架体内横向贯穿有调节丝杆,调节丝杆的端部安装减速电机,调节丝杆上套装有移动部,刮锡机构安装在移动部的端部,移动部远离刮锡机构的一端还设有配重块。
通过采用上述技术方案,刮刀驱动机构中通过减速电机驱动调节丝杆进行转动,从而调节套装在丝杆上的移动部在架体内进行滑动,从而控制安装在移动部上的刮锡机构进行往复运动,从而实现扫球植球的目的,并且在移动部远离刮锡机构的一端设有配重部,能够避免刮锡机构以及连接刮锡机构移动部部分过重造成植锡球的部稳定平整。
优选的,刮锡机构的底部设有刮板,刮板上的两侧安装有锡球导料管,其中锡球导料管的出口端采用条状出口,锡球导料管的入口端与刮锡机构顶部的锡球储存盒连通,且刮板左右两侧的锡球导料管与锡球储存盒连接处分别设有左阀门和右阀门。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造