[发明专利]半导体存储装置及半导体系统

说明书

本发明提供一种半导体存储装置及半导体系统，具备对闪速存储器的擦除动作进行仿真的功能。本发明的电阻变化型存储器包括：存储单元阵列；控制器，根据输入的命令来进行存储单元阵列的读出或写入；擦除命令许可寄存器，设定是否能够接收擦除命令；以及忙碌时间调整寄存器，调整忙碌时间。在进行的是许可擦除命令的接收的设定的情况下，控制器对输入的擦除命令作出响应而对擦除动作进行仿真，且对包含经忙碌时间调整寄存器调整后的忙碌时间的忙碌信息进行规定。

技术领域

本发明涉及一种电阻变化型存储器、电可擦编程只读存储器(ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)等半导体存储装置，尤其涉及一种具备对闪速存储器的擦除动作进行仿真的功能的半导体存储装置及半导体系统。

背景技术

作为代替或非(NOR)型和与非(NAND)型闪速存储器的非易失性存储器，有利用可变电阻元件的电阻变化型存储器。电阻变化型存储器通过对可变电阻元件施加脉冲电压而使可变电阻元件以可逆且非易失的方式变为高电阻状态或低电阻状态来存储数据(例如专利文献1：日本专利6810725号公报)。

如图1所示，控制闪速存储器的软件安装在主机装置(计算机装置)10中，主机装置10输出闪速存储器20的动作所需的命令。图2为通过控制闪速存储器的软件来进行数据的重写时的动作流程。闪速存储器中没有数据重写的概念(例如将数据“0”改写为数据“0”)，因此，实际上需要通过擦除使数据“0”变为数据“1”、其后通过编程使数据“1”变为数据“0”，由此来进行数据的重写。即，主机装置10向闪速存储器20输入擦除命令(S10)并在擦除动作的忙碌期间内待机(S12)，其后输入编程命令(S14)并在编程动作的忙碌期间内待机(S16)，结束重写。闪速存储器在配备并行接口的情况下，经由忙碌端子将表示是否为忙碌状态的忙碌信号传输至主机装置10，在配备串行接口(串行外围接口(Serial PeripheralInterface，SPI))的情况下，由主机装置10读出状态寄存器中保持的表示是否为忙碌状态的忙碌信息。

图3为通过控制电阻变化型存储器的软件来进行数据的重写时的动作流程。电阻变化型存储器中没有擦除数据的概念，数据的重写(例如将数据“0”改写为数据“0”)是通过直接写入数据来进行。即，主机装置10向电阻变化型存储器输入写入命令(S20)、写入数据，并在写入动作中的忙碌时间内待机(S22)，结束重写。

控制闪速存储器20的软件与控制电阻变化型存储器的软件存在差异。图4为将控制闪速存储器20的软件用于电阻变化型存储器时的动作流程。当主机装置10向电阻变化型存储器输入闪速存储器的擦除命令时(S30)，由于电阻变化型存储器中未定义擦除命令，因此不会产生忙碌状态(S32)，实质上不进行任何动作。主机装置10无法确认忙碌状态，因此判定擦除命令错误(S34)，结束重写。因此，存在无法将为闪速存储器设计的软件资产有效运用于电阻变化型存储器的问题。

本发明要解决这样的现有问题，其目的在于提供一种具备对闪速存储器的擦除动作进行仿真的功能的半导体存储装置。

发明内容

本发明的半导体存储装置包括：存储单元阵列；控制部件，根据输入的命令来进行所述存储单元阵列的读出或写入；设定部件，设定是否能够接收闪速存储器的擦除命令；以及调整部件，调整忙碌时间，在通过所述设定部件设定为能够接收擦除命令的情况下，所述控制部件对输入的擦除命令作出响应而对闪速存储器的擦除动作进行仿真，且根据经所述调整部件调整后的忙碌时间来控制忙碌信息。

本发明的半导体系统包含上文记载的半导体存储装置和连接于所述半导体存储装置的计算机装置，其中，所述计算机装置根据用于使闪速存储器运行的软件来控制所述半导体存储装置。

根据本发明，由于具备对闪速存储器的擦除动作进行仿真的功能，因此可将控制闪速存储器的软件资源用于电阻变化型存储器等不具有擦除动作的半导体存储装置。

附图说明