[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

S100，获取一晶体外延结构（100），所述晶体外延结构（100）包括含铝外延层（200）；

S200，将所述晶体外延结构（100）置入湿法氧化装置中，并向所述湿法氧化装置内通入氧化气体及氮气，以使所述含铝外延层（200）的两侧形成氧化介质层，中央形成电流通道（210）；

其中，呈梯度地不断提高所述湿法氧化装置的工作温度；

当所述湿法氧化装置升温至预处理温度时，通过载气将去离子水蒸气送入所述湿法氧化装置，以使所述去离子水蒸气离化成活性氧化粒子，所述活性氧化粒子能够与所述含铝外延层（200）氧化还原反应生成绝缘体；

所述预处理温度的范围为125℃-155℃，且所述湿法氧化装置的工作真空度的范围为0.2Pa-10Pa。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，使所述湿法氧化装置升温至第一温度后，保温第一时间；

使所述湿法氧化装置升温至第二温度后，保温第二时间；

使所述湿法氧化装置升温至第三温度后，保温第三时间；

所述第一温度大于所述预处理温度，且当所述湿法氧化装置升温至所述第一温度时，停止向所述湿法氧化装置通入所述去离子水；

所述第一温度、所述第二温度及所述第三温度依次增高。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一温度的范围为410℃-440℃，所述第一时间的范围为1s-2s；所述第二温度的范围为441℃-460℃，所述第二时间的范围为1s-2s；所述第三温度的范围为461℃-500℃，所述第三时间的范围为1s-2s。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：呈梯度地不断提高所述湿法氧化装置的工作压力。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，使所述湿法氧化装置的工作压力升至第一压力后，保持第一时间；

使所述湿法氧化装置的工作压力升至第二压力后，保持第二时间；

使所述湿法氧化装置的工作压力升至第三压力后，保持第三时间；

所述第一压力、所述第二压力及所述第三压力依次增高。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一压力的范围为2mBar-4mBar，所述第一时间的范围为1s-2s；所述第二压力的范围为4mBar-6mBar，所述第二时间的范围为1s-2s；所述第三压力的范围为5mBar-7mBar，所述第三时间的范围为1s-2s。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：呈梯度地不断提高所述湿法氧化装置的气体通入流量。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，使所述湿法氧化装置的气体通入流量为第一流量，保持第一时间；

使所述湿法氧化装置的气体通入流量为第二流量，保持第二时间；

使所述湿法氧化装置的气体通入流量为第三流量，保持第三时间；

所述第一流量、所述第二流量及所述第三流量依次增高。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一流量的范围为1.1L/min-1.3L/min，所述第一时间的范围为1s-2s；所述第二流量的范围为1.2L/min-1.4L/min，所述第二时间的范围为1s-2s；所述第三流量的范围为1.3L/min-1.5 L/min，所述第三时间的范围为1s-2s。

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括S300：

所述湿法氧化装置升温至最高温度时，停止通入氧化气体，仅通入氮气，以退火；

其中，所述最高温度的范围为460℃-500℃，退火时间范围为20分钟-25分钟，退火时氮气通入流量范围为3L/min-4L/min。