[发明专利]低压差线性稳压器过冲抑制电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，包括：

过冲检测电容，与所述低压差线性稳压器的输出端电连接，用于检测所述低压差线性稳压器的输出端的过冲电压；

过冲电压处理电路，与所述过冲检测电容电连接，用于将所述过冲电压转化成对应的使能信号；

过冲反馈调节电路，与所述过冲处理电路电连接；所述过冲反馈调节电路包括第一信号端和输出端，所述过冲反馈调节电路的第一信号端与所述低压差线性稳压器的功率管的栅极电连接；所述过冲反馈调节电路响应所述使能信号，用于调节所述低压差线性稳压器的功率管的栅极电压，以及用于稳定所述过冲反馈调节电路的输出端的电压。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，所述过冲电压处理电路包括：

第一节点、第二节点和第三节点，所述第一节点与所述过冲检测电容电连接；

第一晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点电连接，所述第一晶体管的源极与信号端电连接；所述第四晶体管的漏极与所述第二节点电连接，所述第四晶体管的源极与信号端电连接；

第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管和第六晶体管，所述第二晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极均与所述第一节点电连接，所述第二晶体管的漏极与所述第一节点电连接；所述第三晶体管和所述第六晶体管的栅极均与所述第二晶体管的源极电连接，所述第三晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极电连接；所述第五晶体管的源极与所述第六晶体管的漏极电连接；所述第三晶体管的源极与GND端电连接，所述第六晶体管的源极与GND端电连接；

第七晶体管和第八晶体管，所述第七晶体管和所述第八晶体管的栅极均与所述第二节点电连接，所述第七晶体管的源极与VDD信号端电连接，所述第七晶体管的漏极与所述第三节点电连接；所述第八晶体管的源极与GND端电连接，所述第八晶体管的漏极与所述第三节点电连接；

第十二晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管，所述第十二晶体管的源极与VDD信号端电连接，所述第十二晶体管的漏极与第十三晶体管的漏极电连接，所述第十三晶体管的栅极与所述第三节点电连接，所述第十三晶体管的源极与所述第十四晶体管的漏极电连接，所述第十四晶体管的源极与GND端电连接。

3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，所述过冲反馈调节电路包括：

第九晶体管，所述第九晶体管的栅极与所述第二节点电连接，所述第九晶体管的源极与VDD信号端电连接；

第十晶体管和第十一晶体管，所述第十晶体管和所述第十一晶体管的栅极均与所述第九晶体管的漏极电连接，所述第十晶体管的漏极与所述第九晶体管的漏极电连接，所述第十晶体管的源极与所述GND端电连接；所述第十一晶体管的漏极与所述过冲抑制电路的输出端电连接，所述第十一晶体管的源极与GND端电连接；

第十五晶体管，所述第十五晶体管的源极与VDD信号端电连接，所述第十五晶体管的漏极与第一信号端电连接；

第二电容，所述第二电容的一个极板与VDD信号端电连接，所述第二电容的另一个极板与所述第十五晶体管的栅极电连接。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，还包括第一偏置电压端和第二偏置电压端；

所述第一偏置电压端分别与所述第一晶体管的栅极、第四晶体管的栅极和第十二晶体管的栅极电连接；

所述第二偏置电压端与所述第十四晶体管的栅极电连接。

5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，所述第四晶体管的宽长比大于所述第一晶体管的宽长比，所述第七晶体管的宽长比大于所述第八晶体管的宽长比。

6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器过冲抑制电路，其特征在于，所述过冲检测电容和所述第二电容的电容值均小于1pF。