[发明专利]一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器

权利要求书

1.一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，包括：从下往上依次层叠设置的基底、透明导电阴极、阴极修饰层、光敏层、阳极修饰层与阳极层，其特征在于，所述光敏层经过高温热退火处理，使其上表面形成颗粒状缺陷形貌作为界面陷阱。

2.按权利要求1所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述高温热退火处理的退火温度为150℃～300℃、时间为2min～300min。

3.按权利要求1所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述光敏层的厚度为100～1000nm。

4.按权利要求1所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述光敏层的制备过程为：将光敏层混合溶液涂覆于阴极修饰层表面形成薄膜，再进行高温热退火处理。

5.按权利要求4所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述光敏层混合溶液中，有机给体材料为PBDB-T、PM6、PBDTS-TDZ中的一种或多种，有机受体材料为Y6，有机给体材料与有机受体材料的质量比为1:(0.5～10)；有机溶剂包含主溶剂与溶剂添加剂，主溶剂为氯苯、邻二氯苯、氯仿中的一种或多种，溶剂添加剂为1，8-二碘辛烷(DIO)、氯萘(CN)、硝基苯中的一种或多种，溶剂添加剂的含量为混合溶液的0.1％～3％(v/v)；光敏层混合溶液中的总浓度为5～100mg/ml。

6.按权利要求4所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述涂覆采用旋涂、刮涂、滴涂或喷涂工艺。

7.按权利要求1所述基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，其特征在于，所述透明导电阴极为ITO薄膜或FTO薄膜，所述阴极修饰层采用ZnO、PEIE、TiO₂、LiF或SeO₂，所述阳极修饰层采用poly-TPD、PVK、MoO₃、P3HT、PEDOT:PSS中的一种或多种。